[发明专利]半导体装置的制造方法及粘合片

说明书

本发明提供具有下述工序(1)～(4)的半导体装置的制造方法、以及该制造方法所使用的粘合片，所述半导体装置的制造方法是使用粘合片制造半导体装置的方法，所述粘合片具有粘合剂层、以及包含膨胀性粒子且为非粘合性的基材。工序(1)：将形成有开口部的框构件粘贴于粘合剂层的粘合表面的工序；工序(2)：将半导体芯片放置于在所述框构件的所述开口部露出的所述粘合剂层的粘合表面的一部分的工序；工序(3)：用密封材料包覆所述半导体芯片、所述框构件、以及所述粘合剂层的粘合表面中所述半导体芯片的周边部，使该密封材料固化，得到所述半导体芯片被固化密封材料密封而成的固化密封体的工序；工序(4)：使所述膨胀性粒子膨胀，从所述固化密封体剥离所述粘合片的工序。本发明可以抑制扇出型封装的制造工序中半导体芯片发生位置偏移，生产性优异，得到的半导体装置的再布线层形成面的平坦性优异。

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造方法及粘合片。

背景技术

近年来，正在进行电子设备的小型化、轻质化及高功能化，与此相伴，电子设备中搭载的半导体装置也要求小型化、薄型化及高密度化。

半导体芯片有时安装于与其尺寸接近的封装中。这样的封装有时也称为CSP(芯片级封装，Chip Scale Package)。作为CSP，可以列举：以晶片尺寸处理至封装最终工序而完成的WLP(晶圆级封装，Wafer Level Package)、以大于晶片尺寸的面板尺寸处理至封装最终工序而完成的PLP(面板级封装，Panel Level Package)等。

WLP及PLP可分类为扇入(Fan-In)型和扇出(Fan-Out)型。在扇出型的WLP(以下，也称为“FOWLP”)及PLP(以下，也称为“FOPLP”)中，用密封材料包覆半导体芯片，使其成为比芯片尺寸大的区域，形成半导体芯片密封体，不仅在半导体芯片的电路面，而且在密封材料的表面区域也形成再布线层及外部电极。

另外，FOWLP及FOPLP例如可以经过以下工序来制造：将多个半导体芯片放置在临时固定用的粘合片(以下，也称为“临时固定用片”)上的放置工序、用赋予了流动性的密封材料进行包覆的包覆工序、使该密封材料热固化的固化工序、从上述密封体剥离临时固定用片的剥离工序、在露出的半导体芯片侧的表面形成再布线层的再布线层形成工序。

对于上述的工序中使用的临时固定用片而言，在上述包覆工序及固化工序(以下，也将这些工序称为“密封工序”)之间要求半导体芯片不发生位置偏移、且密封材料不进入半导体芯片与临时固定用片的粘接界面的程度的粘接性，在密封工序之后要求能够没有残胶地容易去除的剥离性。即，FOWLP及FOPLP的制造中使用的临时固定用片要求兼顾使用时的粘接性和使用后的剥离性。

例如，专利文献1公开了如下方法：在FOWLP的制造方法中，在临时固定用片上进行了密封工序后，用手弯曲该临时固定用片并剥离，所述临时固定用片具有由聚酰亚胺膜形成的基材和该基材的表面具备的由有机硅类粘合剂形成的粘合层。但是，用手等剥离临时固定用片的工序复杂，从提高生产性的观点考虑，要求能够以更小的外力剥离临时固定用片。

作为剥离性优异的临时固定用片，例如，专利文献2公开了一种电子部件切断时的临时固定用加热剥离型粘合片，其在基材的至少一面设置有含有热膨胀性微小球的热膨胀性粘合层。在FOWLP及FOPLP的制造中，也可以考虑使用专利文献2中记载的加热剥离型粘合片。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-32646号公报

专利文献2：日本专利第3594853号公报

发明内容

发明要解决的课题