[发明专利]接头块和使用该接头块的流体控制装置在审
| 申请号: | 201880021909.1 | 申请日: | 2018-03-13 |
| 公开(公告)号: | CN110494686A | 公开(公告)日: | 2019-11-22 |
| 发明(设计)人: | 工藤翔太郎;堂屋英宏 | 申请(专利权)人: | 株式会社富士金 |
| 主分类号: | F16K27/00 | 分类号: | F16K27/00;H01L21/3065;H01L21/31 |
| 代理公司: | 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 刘新宇;张会华<国际申请>=PCT/JP |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 侧开口部 开口部 副流路 主流路 连接流路 开口 流体控制装置 供给流量 上游 集成化 接头块 上表面 流体 配置 俯视 | ||
1.一种接头块,该接头块划分有彼此相对的上表面和底面、自所述上表面朝向所述底面侧延伸的侧面,其中,
该接头块具有:
主流路,其具有在所述接头块内自长度方向上的一端侧朝向另一端侧延伸的流路以及在所述上表面上在一端侧开口的一端侧开口部和在另一端侧开口的另一端侧开口部;
副流路,其具有在所述接头块内自长度方向上的一端侧朝向另一端侧延伸的流路以及在所述上表面上在一端侧开口的第1开口部和在下游侧开口的第2开口部,所述第1开口部和第2开口部在所述长度方向上配置在所述一端侧开口部和所述另一端侧开口部之间;以及
连接流路,其一端部与所述主流路连接,另一端部在所述上表面开口,并且,具有在所述长度方向上在所述副流路的所述第2开口部与所述主流路的所述另一端侧开口部之间开口的第3开口部,
所述主流路配置为在俯视时局部与所述副流路和所述连接流路重叠。
2.根据权利要求1所述的接头块,其中,
所述副流路沿着长度方向配置有多个。
3.根据权利要求1或2所述的接头块,其中,
所述主流路具有沿着所述长度方向延伸的长路部,
自所述一端侧开口部和所述另一端侧开口部向所述长路部延伸的流路中的至少一者自所述上表面沿着所述长度方向倾斜地延伸。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的接头块,其中,
所述连接流路自所述上表面向所述长度方向上的所述另一端侧倾斜地延伸。
5.一种流体控制装置,其中,
该流体控制装置包括:
沿着一方向排列的多个流体设备;
权利要求1所述的接头块;以及
与所述副流路的所述第1开口部连接的管路构件,
所述多个流体设备中的至少一流体设备具有主体,该主体设置在所述接头块的所述上表面的所述第2开口部和所述第3开口部上,划分有将所述第2开口部和所述第3开口部连通的流路。
6.根据权利要求5所述的流体控制装置,其中,
所述至少一流体设备是阀装置。
7.根据权利要求5或6所述的流体控制装置,其中,
经由所述管路构件供给第1气体,
向所述主流路供给除所述第1气体以外的第2气体。
8.一种半导体制造方法,该半导体制造方法使用了权利要求5~7中任一项所述的流体控制装置,其中,
与所述主流路连通的最下游侧端部与处理室连接,
使所述副流路全都经由所述连接流路与所述主流路连通,经由所述副流路的第1开口部向所述处理室供给吹扫气体,
阻断所述副流路与所述主流路之间经由了所述连接流路的连通,经由所述主流路向所述处理室供给除吹扫气体以外的气体。
9.一种半导体制造装置,该半导体制造装置包括权利要求5~7中任一项所述的流体控制装置,其中,
与所述主流路连通的最下游侧端部与处理室连接,
所述副流路全都经由所述连接流路与所述主流路连通,
经由所述副流路的第1开口部向所述处理室供给吹扫气体,阻断所述副流路与所述主流路之间经由了所述连接流路的连通,经由所述主流路向所述处理室供给除吹扫气体以外的气体。
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