[发明专利]干蚀刻方法或干式清洗方法

权利要求书

1.一种干蚀刻方法，其特征在于，将XF所示的单氟卤间化合物气体和一氧化氮(NO)同时导入到蚀刻装置的反应室内部，通过热而诱发蚀刻对象与XF及NO的反应，其中，X为Cl、Br、I中的任意一种卤素元素。

2.一种干蚀刻方法，其特征在于，通过将XF所示的单氟卤间化合物气体和一氧化氮(NO)混合、加热，从而诱发XF和NO的化学反应，将所产生的激发种供给到蚀刻装置内部，其中，X为Cl、Br、I中的任意一种卤素元素。

3.一种干式清洗方法，其特征在于，将XF所示的单氟卤间化合物气体和一氧化氮(NO)同时导入到成膜装置的反应室内部，通过热而诱发清洗对象与XF及NO的反应，其中，X为Cl、Br、I中的任意一种卤素元素。

4.一种干式清洗方法，其特征在于，通过将XF所示的单氟卤间化合物气体和一氧化氮(NO)混合、加热，诱发XF和NO的化学反应，将所产生的激发种供给到成膜装置内部，其中，X为Cl、Br、I中的任意一种卤素元素。

5.根据权利要求1或2所述的干蚀刻方法或者权利要求3或4所述的干式清洗方法，其特征在于，将XF所示的单氟卤间化合物气体和一氧化氮(NO)混合的比率按体积比或流量比计设为XF:NO＝1:Y的情况下，Y为0<Y<2，其中，X为Cl、Br、I中的任意一种卤素元素。

6.根据权利要求1或2所述的干蚀刻方法或者权利要求3或4所述的干式清洗方法，其特征在于，单氟卤素气体为ClF。

7.根据权利要求1所述的干蚀刻方法，其特征在于，干蚀刻时的蚀刻装置的反应室内部的温度或蚀刻对象的温度为20～700℃。

8.根据权利要求3所述的干式清洗方法，其特征在于，干式清洗时的成膜装置内部的温度或反应装置壁表面的温度为20～700℃。

9.根据权利要求2所述的干蚀刻方法或者权利要求4所述的干式清洗方法，其特征在于，XF所示的单氟卤间化合物气体和一氧化氮(NO)的混合物的加热温度为20～700℃，其中，X为Cl、Br、I中的任意一种卤素元素。

10.根据权利要求1所述的干蚀刻方法，其特征在于，通过将蚀刻装置反应室内部或蚀刻对象调节到20～700℃，相对于Si、Ge、Al、W、Ti、Hf各自的氧化物、氮化物，将构成的元素的90％以上为Si、Ge、Al、W、Ti、Hf中的任意一种的膜、或由构成的元素的90％以上为Si、Ge、Al、W、Ti、Hf中的2种以上的元素构成的膜选择性地蚀刻。

11.根据权利要求3所述的干式清洗方法，其特征在于，通过将成膜装置内部或成膜装置内部的壁的温度调节到20～700℃，在不会将构成装置的材质腐蚀、劣化的情况下，将构成的元素的70％以上为Si、Ge、Al、W、Ti、Hf中的任意一种的附着物、堆积物、或由构成的元素的70％以上为Si、Ge、Al、W、Ti、Hf中的2种以上的元素构成的附着物、堆积物去除、清洗。

12.根据权利要求2所述的干蚀刻方法或者权利要求4所述的干式清洗方法，其特征在于，通过XF所示的单氟卤间化合物气体和一氧化氮(NO)的混合物的加热温度为20～700℃，诱发以下的式1的化学反应，供给所产生的X原子和亚硝酰氟(FNO)，其中，X为Cl、Br、I中的任意一种卤素元素，

(式1)XF+NO→X+FNO。

13.根据权利要求1或2所述的干蚀刻方法或者权利要求3或4所述的干式清洗方法，所述干蚀刻方法的特征在于，通过使用选自由N₂、Ar、He、Kr、Xe和CO₂组成的组中的至少一种反应性低的气体对XF和一氧化氮(NO)进行稀释，从而进行干蚀刻中的蚀刻速率、蚀刻选择性的控制，其中，X为Cl、Br、I中的任意一种卤素元素，所述干式清洗方法的特征在于，抑制干式清洗中的清洗时间、成膜装置内部的腐蚀或损伤。