[发明专利]热塑性液晶聚合物及其膜有效
申请号: | 201880020206.7 | 申请日: | 2018-03-26 |
公开(公告)号: | CN110446738B | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 今野贵文;砂本辰也;南叶道之;原哲也 | 申请(专利权)人: | 株式会社可乐丽 |
主分类号: | C08G63/60 | 分类号: | C08G63/60;B32B7/02;B32B15/08;B32B15/09;C08J5/18;G01S7/03 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 鲁雯雯;金龙河 |
地址: | 日本冈山*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 塑性 液晶 聚合物 及其 | ||
本发明提供能够降低高频频带下的介电损耗角正切的热塑性液晶聚合物及其膜。上述热塑性液晶聚合物含有下述式(I)、(II)、(III)和(IV)所表示的重复单元,热塑性液晶聚合物中的式(I)所表示的重复单元和式(II)所表示的重复单元的合计量相对于全部重复单元的合计量的摩尔比率为50~90摩尔%,式(III)所表示的重复单元与式(IV)所表示的重复单元的摩尔比为23/77~77/23。(式中,Ar1和Ar2为彼此不同的二价芳香族基团)。
关联申请
本申请要求2017年3月31日提出的日本特愿2017-071337的优先权,将其整体以参考的方式作为本申请的一部分进行引用。
技术领域
本发明涉及可形成光学各向异性的熔融相的热塑性聚合物(以下将其称为热塑性液晶聚合物)。更详细而言,涉及能够降低高频频带下的介电损耗角正切、并且抑制了熔点的升高的热塑性液晶聚合物。
背景技术
近年来,PC等信息处理领域、移动电话等通信设备领域的发展显著,在这样的电子设备、通信设备中使用的频率正在向千兆赫兹频带转移。
作为这样高频化的信息通信装置,正在开发例如用于汽车的安全驾驶辅助、自动驾驶化的在车间距离等的检测中使用的毫米波雷达。毫米波雷达具备用于进行电磁波信号的发送和接收的天线,对于该天线中使用的绝缘基板而言,要求尤其是在高频频带下的介电损耗角正切低的材料。
作为天线的绝缘基板,已知有陶瓷基板、氟基板,但是,陶瓷基板存在加工困难、价格昂贵的问题,对于氟基板而言,由于为了提高尺寸稳定性而使用的玻璃布等的影响,基板整体的高频特性和耐湿性存在问题。
另一方面,热塑性液晶聚合物作为高频特性优良的材料而受到关注。例如专利文献1(日本特开2009-108190号公报)中,关于以特定的比率含有来源于6-羟基-2-萘甲酸的重复单元、来源于4,4’-二羟基联苯的重复单元和来源于芳香族二羧酸的重复单元的全芳香族液晶聚酯,公开了一种含有少量来源于苯二酚的重复单元的全芳香族液晶聚酯。
另外,专利文献2(日本特开2004-196930号公报)中公开了一种实质上由30~80mol%的来源于2-羟基-6-萘甲酸的重复单元、35~10mol%的来源于芳香族二醇的重复单元和35~10mol%的来源于芳香族二羧酸的重复单元构成的芳香族液晶聚酯。
另外,专利文献3(日本特开2005-272810号公报)中公开了一种芳香族液晶聚酯,其中,来源于2-羟基-6-萘甲酸的重复单元为40~74.8摩尔%,来源于芳香族二醇的重复单元为12.5~30摩尔%,来源于萘二甲酸的重复单元为12.5~30摩尔%,以及来源于芳香族二羧酸的重复单元为0.2~15摩尔%,并且,来源于萘二甲酸的重复单元的摩尔数多于来源于芳香族二羧酸的重复单元的摩尔数。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2009-108190号公报
专利文献2:日本特开2004-196930号公报
专利文献3:日本特开2005-272810号公报
发明内容
发明所要解决的问题
但是,在专利文献1中,关于全芳香族液晶聚酯,虽然记载了机械特性优良、并且高频频带下的介电特性优良,但是,由于通过注塑成型加工成哑铃状试验片或棒状试验片而对其强度特性和介电损耗角正切进行考察,因此,不了解作为膜的加工性、作为膜使用时的介电损耗角正切。
另外,在专利文献2中,以改善兆赫兹带下的介电损耗为目的,因此,对于高频频带下的介电损耗角正切,期望进一步降低。
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