[发明专利]用于校准电容传感器接口的装置和方法有效

专利信息
申请号: 201880019593.2 申请日: 2018-03-07
公开(公告)号: CN110431383B 公开(公告)日: 2021-09-17
发明(设计)人: 科林·斯蒂尔;雷内·朔伊纳;托马斯·克里斯坦;马克·尼德伯格 申请(专利权)人: 美商楼氏电子有限公司
主分类号: G01D5/24 分类号: G01D5/24
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 王小东;黄纶伟
地址: 美国伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 校准 电容 传感器 接口 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种用于校准电容传感器接口的装置,所述装置包括:

电容传感器(10),其具有电容(cmem、cmemsp、cmemsm),

电荷储存电路(20),其具有可变电容(cdum、cdump、cdumm),

测试电路(30),其用于将测试信号(vtst)施加到所述电容传感器(10)和所述电荷储存电路(20),

放大器电路(40),其具有耦合到所述电容传感器(10)的第一输入连接端(E40a)和耦合到所述电荷储存电路(20)的第二输入连接端(E40b)以及输出连接端(A40),其中,所述放大器电路(40)被配置为根据施加到所述第一输入连接端(E40a)的第一输入信号(ΔVerr1)和施加到所述第二输入连接端(E40b)的第二输入信号(ΔVerr2)在所述放大器电路(40)的所述输出连接端(A40)处提供输出信号(Vout),

检测电路(50),其用于检测所述输出信号(Vout)的电平,

控制电路(60),其用于接收检测到的输出信号(Vout)的电平并调整所述电荷储存电路(20)的电容(cdum、cdump、cdumm),使得所述输出信号(Vout)的电平趋于零电平,以及

偏置电压源(90),其用于偏置所述电容传感器(10),其中,所述偏置电压源(90)耦合到所述电容传感器(10)和所述电荷储存电路(20)。

2.如权利要求1所述的装置,

其中,所述测试电路(30)包括测试信号生成器(31)以生成测试信号(vtst)。

3.如权利要求2所述的装置,

其中,所述测试信号生成器(31)被配置为生成作为脉冲序列的测试信号(vtst)。

4.如权利要求2所述的装置,

其中,所述测试电路(30)包括电容器(32),所述电容器(32)具有连接到所述测试电路(30)的测试信号生成器(31)的第一极板(33)和耦合到所述电容传感器(10)和所述电荷储存电路(20)的第二极板(34)。

5.如权利要求4所述的装置,

其中,所述电容传感器(10)被配置为MEMS麦克风,

其中,所述电荷储存电路(20)包括至少一个可变电容器(21)。

6.如权利要求2所述的装置,

其中,所述电容传感器(10)被配置为包括第一电容器(11)和第二电容器(12)的差分MEMS麦克风,

其中,所述电荷储存电路(20)被配置为包括第一可变电容器(21)和第二可变电容器(22)的另一MEMS麦克风。

7.如权利要求6所述的装置,

其中,所述放大器电路(40)的所述第一输入连接端(E40a)连接到所述电容传感器接口(1)的在所述电容传感器(10)的所述第一电容器(11)与所述第二电容器(12)之间的第一节点(IN1),

其中,所述放大器电路(40)的所述第二输入连接端(E40b)连接到所述电容传感器接口(1)的在所述电荷储存电路(20)的所述第一可变电容器(21)与所述第二可变电容器(22)之间的第二节点(IN2)。

8.如权利要求6或7所述的装置,所述装置包括:

第一偏置电压源(91),其耦合到所述电容传感器(10)的所述第一电容器(11)和所述电荷储存电路(20)的所述第一可变电容器(21),

第二偏置电压源(92),其耦合到所述电容传感器(10)的所述第二电容器(12)和所述电荷储存电路(20)的所述第二可变电容器(22)。

9.如权利要求4至7中任一项所述的装置,

其中,所述测试信号生成器(31)被配置为生成与由MEMS麦克风(10)接收到的音频信号正交的所述测试信号(vtst)。

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