[发明专利]双面球栅阵列封装体的底部填充的控制在审

专利信息
申请号: 201880019377.8 申请日: 2018-02-01
公开(公告)号: CN111052367A8 公开(公告)日: 2020-06-23
发明(设计)人: R.F.达沃克斯;H.E.陈;H.M.阮;B.J.弗里曼;刘奕 申请(专利权)人: 天工方案公司
主分类号: H01L23/66 分类号: H01L23/66;H01L21/56;H01L25/065;H01L25/07;H01L23/498;H01L23/485
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 崔抗
地址: 美国马*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 双面 阵列 封装 底部 填充 控制
【权利要求书】:

1.一种制造封装的射频装置的方法,所述方法包括:

将组件安装到封装衬底的第一侧;

向封装衬底的第二侧施加薄膜;

在施加所述薄膜之后,将下部组件安装到所述封装衬底的第二侧;

通过底部填充剂来底部填充安装在所述封装衬底的第二侧上的所述下部组件;

去除所述封装衬底的第二侧上的所述薄膜;以及

在去除所述薄膜之后,将焊球安装到所述封装衬底的第二侧。

2.如权利要求1所述的方法,其中,所述薄膜覆盖所述焊球的接触垫。

3.如权利要求1所述的方法,其中,施加所述薄膜包含在胶带粘合剂中激光切割开口以及将条带安装到所述薄膜。

4.如权利要求1所述的方法,其中,施加所述薄膜包含覆盖所述封装衬底的第二侧的第一区域,而所述封装衬底的第二侧的第二区域保持不被所述薄膜覆盖。

5.如权利要求4所述的方法,其中,所述第一区域包含所述焊球的多个接触垫。

6.如权利要求5所述的方法,其中,所述第二区域包含安装所述下部组件的裸芯区域。

7.如权利要求1所述的方法,其中,通过施加和去除所述薄膜减小了禁止区的大小。

8.如权利要求1所述的方法,其中,在去除所述薄膜之前,所述底部填充剂至少部分地覆盖所述薄膜。

9.如权利要求9所述的方法,其中,所述薄膜防止所述底部填充剂涂覆所述焊球的接触垫。

10.一种制造封装的射频装置的方法,所述方法包括:

将薄膜施加到封装衬底的底侧,所述封装衬底具有安装有一个或多个上部组件的上侧,所述封装衬底的底侧具有裸芯区域和接触垫区域,所述接触垫区域具有用于通模连接的多个接触垫,所述薄膜的施加包含用所述薄膜覆盖所述接触垫区域而使所述裸芯区域不被所述薄膜覆盖;

在施加所述薄膜之后,在所述裸芯区域内安装一个或多个下部组件使得在所述一个或多个下部组件和所述封装衬底之间存在间隙;

在安装所述一个或多个下部组件之后,在所述封装衬底上沉积底部填充材料使得所述底部填充材料穿透到所述间隙中;以及

在沉积所述底部填充材料之后,将所述薄膜从所述封装衬底的底侧去除。

11.如权利要求10所述的方法,还包含在去除所述薄膜之后,将通模连接安装到所述封装衬底的底侧。

12.如权利要求11所述的方法,其中,所述通模连接包含焊球。

13.如权利要求11所述的方法,还包含将单独的单元从所述封装衬底单一化以产生多个双面封装体。

14.如权利要求10所述的方法,其中,所述底部填充材料包含密封树脂或环氧树脂。

15.如权利要求10所述的方法,还包含固化所述底部填充材料。

16.如权利要求10所述的方法,其中,所述薄膜被配置为在所述底部填充材料的沉积期间控制所述底部填充材料的分布。

17.如权利要求16所述的方法,其中所述底部填充材料接触所述薄膜。

18.如权利要求17所述的方法,其中,去除所述薄膜包含去除所述底部填充材料的覆盖所述薄膜的一部分。

19.如权利要求18所述的方法,其中,去除所述薄膜还包含使所述底部填充材料保留沉积在所述裸芯区域中。

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