[发明专利]参数放大器

权利要求书

1.一种集成信号放大器，包含：

量子点；

第一导电电极，该第一导电电极被设置为使得对该量子点的电子穿隧被防止；以及

第二导电电极，该第二导电电极被设置为使得对该量子点的这种电子穿隧被准许；

其中，在震荡信号被施加跨于该第一电极与该第二电极上时，跨于该第一电极与该第二电极上的等效电容在该震荡信号的频率下震荡。

2.如权利要求1所述的放大器，其中，该量子点被嵌入半导体材料中。

3.如权利要求1或2所述的放大器，其中，该量子点被配置为使得该量子点与该第一电极之间的电容大于该量子点与该第二电极之间的电容。

4.如权利要求3所述的放大器，其中，该量子点被配置成使得该量子点与该第一电极之间的电容与该量子点与该第二电极之间的电容之间存在高的电容比。

5.如权利要求4所述的放大器，其中，该第一电极被配置成至少部分围绕该量子点，以最大化该量子点与该第一电极之间的电容。

6.如权利要求5所述的放大器，其中，该第一电极的至少一部分被配置为围绕该量子点的一半圆或一半球。

7.如权利要求4至6中任一项所述的放大器，其中，该量子点被配置成使得该电容比大于2且小于20。

8.如权利要求4至6中任一项所述的放大器，其中，该量子点被配置成使得该电容比大于6且小于15。

9.如权利要求1至8中任一项所述的放大器，其中，该量子点与该第二电极被配置成使得该第二电极与该量子点之间的电子穿隧时间短于该等震荡信号的周期。

10.如权利要求1至9中任一项所述的放大器，其中，该第一电极被设置在该半导体的表面上，且该量子点被嵌入该半导体内并与该半导体与该等电极之间的接口相隔一距离。

11.如权利要求1至9中任一项所述的放大器，其中，该第一电极和该第二电极两者与该量子点被嵌入该半导体格中。

12.如权利要求11所述的放大器，其中，该第一电极和该第二电极被设置在该半导体内的一第一平面上，且该量子点被设置在该半导体内的一第二平面上。

13.如权利要求1至9中任一项所述的放大器，其中，该第一电极被设置在该半导体的表面上，或被嵌入该半导体内于一第一平面处，且该量子点与该第二电极被嵌入该半导体于一第二平面处。

14.如权利要求1至13中任一项所述的放大器，其中，该第二电极被配置为具有在邻近该量子点处具有减少的厚度，以最小化该量子点与该第二电极之间的电容。

15.如权利要求1至14中任一项所述的放大器，其中，两个震荡信号被施加至该第一电极与该第二电极：具有第一频率与第一振幅的第一震荡信号，以及具有第二频率与第二振幅的第二震荡信号；且该第一电极与该第二电极相对于该量子点被设置为使得在该第一震荡信号与该第二震荡信号被施加至该第一电极与该第二电极时，第三信号被产生在该第一电极与该第二电极之间；该第三信号具有被包含在该第一振幅与该第二振幅之间的振幅。

16.如权利要求15所述的放大器，其中，该第三信号的该振幅与该第一信号以及该第二信号之间的相位差成比例。

17.如权利要求15所述的放大器，其中，该第三信号的频率与该第一频率以及该第二频率的总和或差异成比例。

18.如权利要求1至17中任一项所述的放大器，其中，该半导体材料为硅，且该量子点是由磷形成的。