[发明专利]集成电容滤波器和具有变阻器功能的集成电容滤波器有效
申请号: | 201880018711.8 | 申请日: | 2018-02-05 |
公开(公告)号: | CN110431711B | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
发明(设计)人: | M.柯克;M.贝罗里尼 | 申请(专利权)人: | 阿维科斯公司 |
主分类号: | H01P1/203 | 分类号: | H01P1/203;H01P1/208 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 美国南卡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成 电容 滤波器 具有 变阻器 功能 | ||
1.一种具有多个电容元件的多端子多层陶瓷器件,包括:
主体,所述主体具有包含电极层的协作的多个层,以形成集成电容结构;
所述电极层的第一区域,所述第一区域形成两个相应的电容器的分离馈通型构造,所述第一区域的所述电极层包括共面电极的对;
所述电极层的第二区域,所述第二区域形成多层陶瓷电容器的重叠型构造,所述电极层的第二区域是与所述第一区域不同且分离;
第一对端子,所述第一对端子在所述主体外部并具有相反极性;以及
第二对端子,所述第二对端子在所述主体外部并具有相同极性;
其中所述第一对端子与所述第二区域电容器串联连接,并且所述第二对端子中的至少一个和所述第一对端子与所述第一区域的所述两个相应的电容器相应地并联连接,使得多个电容元件集成在单个封装体器件中。
2.根据权利要求1所述的多端子多层陶瓷器件,其中所述电极层的所述第一区域至少包括位于与总体上交叉形状层相对的一对层,所述交叉形状层具有相应地与所述第二对端子接触的相应的前延伸边缘和后延伸边缘,并且其中所述第一区域的所述一对层具有相应地与所述第一对端子接触的侧延伸边缘。
3.根据权利要求1所述的多端子多层陶瓷器件,其中所述电极层的所述第二区域至少包括成对的交替层,所述成对的交替层处于其中相应的延伸部分与所述第一对端子的相应的端子接触的重叠配置中。
4.根据权利要求1所述的多端子多层陶瓷器件,其中所述第一区域的所述两个相应的电容器彼此串联,并且都与所述第二区域的所述多层陶瓷电容器并联。
5.根据权利要求1所述的多端子多层陶瓷器件,其中所述第一和第二对端子位于所述主体的侧的相应相对侧对上,并且相应地从其环绕到所述主体的指定底侧,以形成所述器件的表面安装器件(SMD)配置。
6.根据权利要求1所述的多端子多层陶瓷器件,还包括相应地附接于所述第一对端子的第一引线和第二引线,以及附接于所述第二对端子中的至少一个端子的第三引线。
7.根据权利要求1所述的多端子多层陶瓷器件,还包括:
所述电极层的第三区域,所述第三区域形成附加的两个相应的电容器的分离馈通型构造;
其中所述第二对端子中的至少一个和所述第一对端子相应地与所述第三区域的所述附加的两个相应的电容器并联连接。
8.根据权利要求7所述的多端子多层陶瓷器件,其中所述电极层的所述第二区域在所述电极层的所述第一区域和第三区域之间。
9.根据权利要求1所述的多端子多层陶瓷器件,其中:
所述主体具有一对细长侧和一对较短侧;
所述第一对端子分别驻留在所述一对细长侧上;并且
所述第二对端子分别驻留在所述一对较短侧上。
10.根据权利要求2所述的多端子多层陶瓷器件,其中所述第一区域中的所述一对层分别具有与所述第一区域的所述总体上交叉形状层不同的重叠面积,使得为所述第一区域的所述相应电容器得出不同电容值。
11.根据权利要求10所述的多端子多层陶瓷器件,还包括:
所述电极层的第三区域,所述第三区域形成附加的两个相应的电容器的分离馈通型构造,所述第三区域至少包括具有相应地与所述第二对端子接触的相应的前延伸边缘和后延伸边缘、并具有相应地与所述第一对端子接触的侧延伸边缘的一对层;
其中所述第三区域的所述一对层分别具有与所述第三区域的所述总体上交叉形状层不同的重叠面积,使得为所述第三区域的所述相应附加的电容器得出不同电容值。
12.根据权利要求1所述的多端子多层陶瓷器件,其中所述第二区域的所述电极层包括扩大的面积,以形成增加的电容值重叠型多层陶瓷电容器。
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