[发明专利]液晶元件的制造方法

权利要求书

1.一种液晶元件的制造方法，包括：

在第1基板及第2基板的各基板上涂布液晶取向剂的步骤；

在涂布所述液晶取向剂后对所述第1基板及所述第2基板进行加热的步骤；以及

在所述加热之后，将所述第1基板与所述第2基板以涂布有所述液晶取向剂的面相对的方式相向配置从而构筑液晶单元的步骤，且

所述液晶取向剂含有具有通过加热而脱离的热脱离性基的化合物(P)，

在所述进行加热的步骤中，实施对所述第1基板及所述第2基板中的一个基板，以较另一个基板更高的温度进行加热的高温加热处理。

2.根据权利要求1所述的液晶元件的制造方法，其中在所述高温加热处理中，对所述一个基板以较所述另一个基板高20℃以上的温度进行加热。

3.根据权利要求1或2所述的液晶元件的制造方法，其中在构筑所述液晶单元后，还包括在对所述液晶单元施加电压的状态下进行光照射的步骤。

4.根据权利要求1或2所述的液晶元件的制造方法，其中由形成于所述第1基板上的液晶取向膜所诱发的液晶分子的预倾角、与由形成于所述第2基板上的液晶取向膜所诱发的液晶分子的预倾角的差为0.8°以上。

5.根据权利要求1或2所述的液晶元件的制造方法，其中在所述加热之后且所述液晶单元的构筑前，还包括至少使所述第1基板及所述第2基板中经实施所述高温加热处理的基板中的所述液晶取向剂的涂布面与水或包含有机溶媒的液体接触的步骤。

6.根据权利要求1或2所述的液晶元件的制造方法，其中所述化合物(P)为选自由聚酰胺酸、聚酰胺酸酯、聚酰亚胺及聚有机硅氧烷所组成的群组中的至少一种。

7.根据权利要求1或2所述的液晶元件的制造方法，其中所述化合物(P)具有下述式(1)所表示的部分结构或下述式(2)所表示的部分结构：

式(1)中，R¹为单键或二价有机基；X¹为单键、-O-、-S-、-NR^II-、或者下述式(x-1)所表示的基，其中，R^II为氢原子或一价烃基，或者与R¹结合而形成包含R^II所键结的氮原子的环；Y¹为将Y¹与氧基羰基的键结切断而脱离的热脱离性基、或者将X¹与氧基羰基的键结切断而与氧基羰基同时或分别脱离的热脱离性基；“*”表示键结键，

式(x-1)中，R⁴⁰为二价烃基；“*¹”表示与R¹的键结键，其中，R¹为二价有机基，“*²”表示与式(1)中的羰基的键结键，“*³”表示键结键；其中，X¹中的氮原子、R¹及R⁴⁰构成所述化合物(P)的主链的至少一部分，

*-R¹-Y² (2)

式(2)中，R¹为单键或二价有机基；Y²为具有下述式(3)的结构的热脱离性基；“*”表示键结键，

式(3)中，X¹为-S-或-NR^IV-，其中，R^IV为氢原子或一价有机基；R^III为一价有机基；“**”表示与R¹的键结键。