[发明专利]等离子处理装置以及利用其的样品的处理方法在审
申请号: | 201880017600.5 | 申请日: | 2018-11-27 |
公开(公告)号: | CN111492466A | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 田中庆一 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立高新技术 |
主分类号: | H01L21/26 | 分类号: | H01L21/26 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴秋明 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子 处理 装置 以及 利用 样品 方法 | ||
1.一种样品的处理方法,其特征在于,多次重复包含以下工序的处理工序来对所述样品进行处理:
吸附工序,在导入了处理气体的等离子产生室内通过等离子产生单元产生了等离子的状态下,在载置于与所述等离子产生室连接的处理室的内部的样品台的所述样品的表面形成反应物的层;
脱离工序,由配置于所述处理室的外部的加热用灯和设置于所述样品台的内部的加热器加热所述样品来使所述反应物的层气化,从而使所述反应物的层从所述样品的表面脱离;和
冷却工序,将在所述脱离工序加热的所述样品冷却,
在所述吸附工序中,由控制部对所述加热用灯和所述加热器进行前馈控制来将所述样品设定为第一温度状态,
在所述脱离工序中,在由所述控制部控制所述加热用灯和所述加热器来加热所述样品时,对所述加热器进行反馈控制来将所述样品设定为第二温度状态。
2.根据权利要求1所述的样品的处理方法,其特征在于,
在所述吸附工序中,基于预先求得的所述加热用灯、所述加热器与载置于所述样品台的所述样品的表面的温度的关系,由所述控制部对所述加热器和所述加热用灯进行前馈控制,来将所述样品设定为所述第一温度状态。
3.根据权利要求1所述的样品的处理方法,其特征在于,
在所述脱离工序中,由所述控制部基于由设置于所述样品台的内部的温度测量元件测量的所述样品台的温度来对所述加热器进行反馈控制。
4.根据权利要求1所述的样品的处理方法,其特征在于,
在所述脱离工序中,由所述控制部对所述加热用灯进行前馈控制并对所述加热器进行反馈控制来将所述样品设定为所述第二温度状态,从而产生相对于所述样品的周边而所述样品的中心附近的温度高的所期望的温度分布。
5.根据权利要求1所述的样品的处理方法,其特征在于,
在所述脱离工序中,通过由所述控制部对所述加热用灯和所述加热器进行反馈控制来将所述样品设定为所述第二温度状态,从而产生相对于所述样品的周边而所述样品的中心附近的温度高的所期望的温度分布。
6.根据权利要求5所述的样品的处理方法,其特征在于,
在重复执行所述吸附工序和所述脱离工序时,在从所述脱离工序向所述吸附工序转移时,对所述样品与所述样品台之间提供氦气来将所述样品冷却。
7.一种等离子处理装置,具备:
等离子产生室;
对所述等离子产生室的内部提供处理气体的处理气体提供部;
使得在所述等离子产生室的内部产生等离子的等离子产生部;
在内部具备载置样品的样品台并与所述等离子产生室连接的处理室;
配置于所述处理室的外部并加热载置于所述样品台的所述样品的多个加热用灯;
设置于所述样品台的内部并加热所述样品台的多个加热器;
在所述样品台的内部与所述多个加热器对应设置而测量所述样品台的温度的多个温度测量元件;和
控制所述处理气体提供部、所述等离子产生部、所述多个加热用灯和所述多个加热器的控制部,
所述等离子处理装置的特征在于,
所述控制部具备如下功能:
在控制所述等离子产生部使得在所述等离子产生室的内部产生了等离子的状态下,基于预先求得的所述多个加热用灯、所述多个加热器与载置于所述样品台的所述样品的表面的温度的关系来对所述多个加热用灯和所述多个加热器进行前馈控制;和
在控制所述等离子产生部使所述等离子产生室的内部的所述等离子消灭的状态下控制所述多个加热用灯来加热所述样品,并基于由所述多个温度测量元件测量的所述样品台的温度来对所述多个加热器进行反馈控制。
8.根据权利要求7所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述样品台具备用于静电吸附所述样品的静电夹头和对载置于所述样品台的所述样品与所述静电夹头之间提供氦气的气体提供部,
在所述样品台的内部形成流过冷却所述样品台的冷媒的流路。
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