[发明专利]接合用成型体及其制造方法有效
申请号: | 201880017464.X | 申请日: | 2018-03-08 |
公开(公告)号: | CN110418692B | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
发明(设计)人: | 樋上晃裕;村冈弘树;岩田广太郎;山口朋彦 | 申请(专利权)人: | 三菱综合材料株式会社 |
主分类号: | B23K35/14 | 分类号: | B23K35/14;B22F1/00;B22F1/02;B23K35/26;B23K35/40 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 辛雪花;周艳玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接合 成型 及其 制造 方法 | ||
1.一种接合用成型体,由经压缩的Cu芯Sn壳的粉末的聚集体构成,其特征在于,
所述Cu芯Sn壳的粉末的平均粒径在1.0~20μm的范围内,
所述接合用成型体的初始接合强度在37~59MPa的范围内,
在所述接合用成型体的表面部及内部的开孔中存在活性剂含有物,所述活性剂含有物用于去除所述粉末的表面的氧化物,
所述接合用成型体以55~95质量%的比例含有Cu且以45~5质量%的比例含有Sn,
所述活性剂含有物中的活性剂为氢卤酸胺盐,所述活性剂含有物中的活性剂的含有比例为0.01~2质量%,
所述接合用成型体具有20~200μm的厚度,
其中,关于单位为MPa的所述初始接合强度,通过在搭载于铜板上的所述接合用成型体上搭载将背面进行Au溅镀的边长2.5mm的正方形的硅芯片元件,并且利用1MPa的荷载使所述硅芯片元件密合于所述铜板的状态下,在氮气氛下,以温度300℃保持5分钟,接合所述铜板和所述硅芯片元件,从而得到接合样本,然后固定该接合样本的所述铜板,从所述硅芯片元件的侧面向与所述铜板平行的方向施加力,计测所述硅芯片元件被剥落时的力或被破坏时的单位为N的力,将该力的值除以接合面积2.5mm×2.5mm=6.25mm2的值设为所述初始接合强度。
2.一种接合用成型体的制造方法,其特征在于,所述接合用成型体的制造方法为制造权利要求1所述的接合用成型体的方法,包括如下工序:
在非活性气体气氛下,将平均粒径为1.0~20μm的Cu芯Sn壳的粉末以10~1000MPa的压力进行冲压成型或辊轧成型,从而得到厚度20~200μm的颗粒状或薄片状的成型体前体;
在非活性气体气氛下,将液态的活性剂含有物储存于容器中并在所述活性剂含有物中浸渍所述成型体前体,所述活性剂含有物用于去除所述粉末的表面的氧化物;
在非活性气体气氛下,将经浸渍的所述成型体前体与所述容器一同进行减压,从所述成型体前体的内部的开孔对所述开孔中存在的气体进行脱气;
在非活性气体气氛下,将从所述开孔对气体进行脱气后的所述成型体前体复压至常压,对所述开孔填充活性剂含有物;及
在对所述开孔填充活性剂含有物之后,去除附着于成型体前体的表面上的剩余的活性剂含有物而得到接合用成型体,
所述Cu芯Sn壳的粉末以55~95质量%的比例含有Cu且以45~5质量%的比例含有Sn,
所述活性剂含有物中的活性剂为氢卤酸胺盐,所述活性剂含有物中的活性剂的含有比例为0.01~2质量%。
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