[发明专利]分析光刻掩模的缺陷位置的方法与设备

权利要求书

1.一种用于分析光刻掩模(200、700)的至少一个缺陷位置(230、730)的方法，其中该方法包括下列步骤：

a获得该光刻掩模(200、700)的至少一个缺陷位置(230、730)的测量数据；

b从该光刻掩模(200、700)的计算机辅助设计(CAD)数据(300)来决定该缺陷位置(230、730)的参考数据，其中决定参考数据包括：从该计算机辅助设计数据(300)合成参考图像(400)，以及其中合成该参考图像(400)包括：考虑在掩模制造过程期间该计算机辅助设计数据(300)所经历的该参考图像(400)系统性变化；

c使用至少一个位置相关修正值来修正该参考数据；以及

d通过比较该测量数据与已修正参考数据来分析该缺陷位置(230、730)。

2.一种用于分析光刻掩模(200、700)的至少一个缺陷位置(230、730)的方法，其中该方法包括下列步骤：

a获得该光刻掩模(200、700)的至少一个缺陷位置(230、730)的测量数据；

b从该光刻掩模(200、700)的计算机辅助设计(CAD)数据(300)来决定该缺陷位置(230、730)的参考数据，其中决定参考数据包括：从该计算机辅助设计数据(300)合成参考图像(400)，以及其中合成该参考图像(400)包括：考虑在掩模制造过程期间该计算机辅助设计数据(300)所经历的该参考图像(400)系统性变化；

c从该测量数据和该参考数据来决定该至少一个缺陷位置(230、730)的轮廓；以及

d通过使用至少一个位置相关修正值来修正该至少一个缺陷位置(230、730)的轮廓，分析该缺陷位置(230、730)。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中获得该光刻掩模(200、700)的至少一个缺陷位置(230、730)的测量数据包括：使用粒子束(1005)扫描该至少一个缺陷位置(230、730)。

4.如权利要求1或2所述的方法，进一步包括下列步骤：从该测量数据产生测量数据图像。

5.如权利要求1或2所述的方法，其中决定参考数据包括：从包括该光刻掩模(200、700)的至少一个缺陷位置(230、730)的计算机辅助设计数据(300)来撷取一区段。

6.如权利要求1或2所述的方法，其中合成该参考图像(400)进一步包括：产生该参考图像(400)中的至少一个结构元素(420)的光边界(460)。

7.如权利要求6所述的方法，其中该至少一个结构元素(420)包括来自下列的元素：该光刻掩模(200、700)的图案元素、该光刻掩模(200、700)的标记以及该光刻掩模(200、700)的至少一个缺陷位置(230、730)的缺陷(240、740)。

8.如权利要求1或2所述的方法，其中合成该参考图像(400)进一步包括：决定在掩模制造过程期间描述该光刻掩模(200、700)的曝光过程的点扩散函数的参数。

9.如权利要求1或2所述的方法，其中该至少一个位置相关修正值考虑该测量数据的关键尺寸(CD)(225)与该缺陷位置(230、730)处的计算机辅助设计数据(300)之间的差异。

10.如权利要求4所述的方法，进一步包括下列步骤：针对该光刻掩模(200、700)的至少一个缺陷位置(230、730)的每一个，通过最小化该测量数据图像的结构元素(220)的关键尺寸(225)与该参考图像(400)的结构元素(420)的关键尺寸(425)之间的差异，决定该至少一个位置相关修正值。