[发明专利]蚀刻装置有效
| 申请号： | 201880017000.9 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN110402480B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 堀胜;谷出敦;堀越章;中村昭平;高辻茂;河野元宏;木濑一夫 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人名古屋大学;株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;金鲜英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种蚀刻方法，其特征在于，
在进行蚀刻的处理室内的基板保持部保持III族氮化物半导体，
从气体供给部向所述处理室的内部供给第一气体，
由等离子体产生部将所述第一气体进行等离子体化，
由第一电位赋予部对于所述基板保持部赋予高频电位；
在对所述III族氮化物半导体进行蚀刻的方法中，
所述第一气体为包含Cl2和BCl3的氯系混合气体，
对于所述基板保持部施加的偏压设为，BCl3在所述第一气体中所占的体积比越大，则绝对值越小，
以V计的所述偏压Vpp相对于BCl3在第一气体中所占的体积比X满足下述关系：
Vpp≤-1200·X+480
Vpp≥-1200·X+290
0.01≤X≤0.4。
2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，
以BCl3在第一气体中所占的体积比X满足0.02≤X≤0.3的方式将所述第一气体供给至所述处理室的内部。
3.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于，
将在所述第一气体中混合有包含N2与惰性气体中的至少一种的气体的第二气体供给至所述处理室的内部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
