[发明专利]碳纳米管、碳类微细结构体及带碳纳米管的基材以及这些的制造方法

权利要求书

1.一种碳纳米管，其轴向沿一个方向延伸，其中，

在所述轴向的一端与另一端之间，具有一个以上的晶体缺陷，所述晶体缺陷在以激发波长632.8nm得到的拉曼光谱中的峰的强度IG与峰的强度ID之比G/D在0.1～0.5的范围内，所述强度IG为在波数1580cm^-1附近出现的石墨结构所引起的峰、即G带中出现的峰的强度，所述强度ID为在波数1360cm^-1附近出现的各种缺陷所引起的峰、即D带中出现的峰的强度。

2.根据权利要求1所述的碳纳米管，其中，在所述轴向中，在距离所述一端或所述另一端50μm以内的部分具有所述晶体缺陷。

3.根据权利要求1所述的碳纳米管，其中，在所述轴向中，在所述一端或所述另一端具有所述晶体缺陷。

4.根据权利要求1所述的碳纳米管，其中，所述轴向的长度为50μm以上且1000μm以下。

5.一种碳类微细结构体，其中，其为由一个以上的碳纳米管束构成的集合体，所述碳纳米管束包括一个以上的权利要求1所述的碳纳米管，且轴向沿同一方向延伸的多个碳纳米管彼此凝集而成。

6.根据权利要求5所述的碳类微细结构体，其中，所述集合体为绳状或片状。

7.一种带碳纳米管的基材，其中，具备：基材、设置在所述基材表面上的一个以上的催化剂粒子以及以所述催化剂粒子为基端的多个权利要求1所述的碳纳米管，

多个所述碳纳米管的轴向相对于所述基材的表面沿同一方向延伸，并且

多个所述碳纳米管在距离所述基材的表面的同一高度处分别具有至少一个以上的所述晶体缺陷。

8.一种碳纳米管的制造方法，其为权利要求1所述的碳纳米管的制造方法，其中，具备：

第一工序，使用化学气相合成法，对表面设置了一个以上的催化剂粒子的基材供给包含原料气体的气体，使轴向沿同一方向延伸的多个碳纳米管以所述催化剂粒子为起点生长在所述基材的表面上；以及

第二工序，使所述气体的供给量减少为少于所述第一工序中的供给量，在所述碳纳米管中导入晶体缺陷。

9.根据权利要求8所述的碳纳米管的制造方法，其中，具备两次以上的所述第一工序。

10.根据权利要求8所述的碳纳米管的制造方法，其中，具备两次以上的所述第二工序。

11.根据权利要求8所述的碳纳米管的制造方法，其中，进一步具备：

第三工序，在导入的所述晶体缺陷的部分切断所述碳纳米管，将所述碳纳米管与所述基材分离。

12.一种碳类微细结构体的制造方法，其为权利要求5所述的碳类微细结构体的制造方法，其中，具备：

第一工序，使用化学气相合成法，对表面设置了一个以上的催化剂粒子的基材供给包含原料气体的气体，使轴向沿同一方向延伸的多个碳纳米管以所述催化剂粒子为起点生长在所述基材的表面上；

第二工序，使所述气体的供给量减少为少于所述第一工序中的供给量，在所述碳纳米管中导入晶体缺陷；以及

第三工序，在导入的所述晶体缺陷的部分切断所述碳纳米管，并且使多个所述碳纳米管彼此凝集而形成碳纳米管束，从所述基材分离所述碳纳米管的同时，由一个以上的所述碳纳米管束形成集合体。

13.一种带碳纳米管的基材的制造方法，其为权利要求7所述的带碳纳米管的基材的制造方法，其中，具备：

第一工序，使用化学气相合成法，对表面设置了一个以上的催化剂粒子的基材供给包含原料气体的气体，使轴向沿同一方向延伸的多个碳纳米管以所述催化剂粒子为起点生长在所述基材的表面上；以及

第二工序，使所述气体的供给量减少为少于所述第一工序中的供给量，在所述碳纳米管中导入晶体缺陷。