[发明专利]真空装置有效
申请号: | 201880015142.1 | 申请日: | 2018-11-26 |
公开(公告)号: | CN110366774B | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 铃木杰之;武者和博;松崎淳介;田宫慎太郎;南展史;中尾裕利 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;C23C14/34 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张泽洲;谭祐祥 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 装置 | ||
1.一种真空装置,前述真空装置具备真空槽、插入孔、台、盖部件、供气排气用贯通孔,
前述插入孔被设置于前述真空槽的顶棚,
前述台能够在使前述插入孔闭塞的闭塞位置和比前述闭塞位置靠下方的前述真空槽内的更换位置之间移动,在朝向上方的面隔开间隙地配置搬运对象物,
前述盖部件设置成相对于前述台伏倒的朝向的容器形形状,前述容器形形状的开口的边缘部分和前述插入孔的外侧的前述顶棚之间被气密,
前述供气排气用贯通孔形成于前述盖部件,
前述搬运对象物包括配置于前述台上的搬运板、配置于前述搬运板上的基板,
前述插入孔被前述台闭塞而形成的前述盖部件和前述台之间的搬入搬出空间为,若前述盖部件和前述顶棚之间被气密则从大气分离,
前述搬入搬出空间被从前述供气排气用贯通孔的设置于前述搬入搬出空间的开口即供气排气口真空排气,升压用气体被从前述供气排气口向前述搬入搬出空间供给,其特征在于,
在前述台和前述供气排气口之间配置长方形或正方形的第一整流板,
前述搬运对象物被配置于前述第一整流板和前述台之间,
前述盖部件具有配置成四边筒形形状的四壁面,
前述第一整流板被配置成,与前述四壁面中的互相平行的两壁面接触,与其他平行的两壁面分离,
在与前述两壁面分离的前述第一整流板的部分,长方形或正方形的第二整流板被与前述第二整流板分离的前述两壁面面对地配置,
在前述第二整流板,设置有在与前述壁面面对的面和其背面之间贯通来供前述升压用气体通过的贯通孔。
2.如权利要求1所述的真空装置,其特征在于,
在前述搬运板的面向前述第一整流板的正面形成有凹陷。
3.如权利要求1或权利要求2所述的真空装置,其特征在于,
前述贯通孔包括上侧贯通孔和下侧贯通孔,前述上侧贯通孔在配置于前述搬运板上的前述基板的正面和前述第一整流板的朝向下方的面之间的高度配置,前述下侧贯通孔在配置于前述台上的前述搬运对象物的背面的高度和前述台的正面的高度之间的高度配置。
4.如权利要求3所述的真空装置,其特征在于,
在前述基板和前述第一整流板之间形成正面侧间隙,在前述搬运板的背面和前述台的正面之间形成背面侧间隙,
前述正面侧间隙的体积和前述上侧贯通孔的面积的积的值、与前述背面侧间隙的体积和前述下侧贯通孔的面积的积的值相等。
5.如权利要求3所述的真空装置,其特征在于,
前述第二整流板和与前述第二整流板面对的前述壁面之间的距离比前述上侧贯通孔的铅垂方向的宽度大,且比前述下侧贯通孔的铅垂方向的宽度大。
6.如权利要求1或权利要求2所述的真空装置,其特征在于,
前述贯通孔包括上侧贯通孔和台上贯通孔,前述上侧贯通孔在配置于前述搬运板上的前述基板的正面和前述第一整流板的朝向下方的面之间的高度配置,前述台上贯通孔为设置于前述台和前述第二整流板的下端之间的间隙,
前述台上贯通孔被在比配置于前述台上的前述搬运板的背面低的高度配置。
7.如权利要求6所述的真空装置,其特征在于,
在前述基板和前述第一整流板之间形成正面侧间隙,在前述搬运板的背面和前述台的正面之间形成背面侧间隙,
前述正面侧间隙的体积和前述上侧贯通孔的面积的积的值、与前述背面侧间隙的体积和前述台上贯通孔的面积的积的值相等。
8.如权利要求7所述的真空装置,其特征在于,
设置有使前述第一整流板和前述第二整流板相对于前述盖部件上升和下降的提升装置。
9.如权利要求6所述的真空装置,其特征在于,
前述第二整流板、与前述第二整流板面对的前述壁面之间的距离比前述上侧贯通孔的铅垂方向的宽度大,且比前述台上贯通孔的铅垂方向的宽度大。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造