[发明专利]流体控制设备有效
申请号: | 201880015079.1 | 申请日: | 2018-03-13 |
公开(公告)号: | CN110382934B | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 铃木裕也;米华克典;落石将彦;原田章弘;丹野龙太郎;篠原努 | 申请(专利权)人: | 株式会社富士金 |
主分类号: | F16K31/122 | 分类号: | F16K31/122;F16K7/17;F16K37/00 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 龚敏;王刚 |
地址: | 日本国大阪府大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 流体 控制 设备 | ||
本发明提供一种在内部收纳用于检测流体控制设备的异常的部件并且实现小型化的流体控制设备。另外,能够在外部容易地确认检测出流体控制设备的异常的结果。流体控制设备(1)包括:信息处理模块(5),其设置在设备内;阀体(11),其具有流路;致动器机体(12),其固定于阀体(11);壳体(13),其为中空,固定于致动器机体(12),并在侧面形成有贯通孔(133d);活塞(126),其设置在致动器机体(12)内,并且在内部形成有向驱动压导入室(S2)连通的驱动压导入路(126b);以及导入管(21),其为导入驱动压的管,一端插入至驱动压导入路(126b),另一端从壳体(13)的贯通孔(133d)向外部导出。
技术领域
本发明涉及在内部容纳有传感器、执行基于由传感器得到的数据的处 理的信息处理模块的流体控制设备。
背景技术
以往,在半导体晶片的表面形成薄膜的成膜处理中,要求薄膜的微细 化,近年来,使用以原子水平或分子水平的厚度形成薄膜的ALD(Atomic Layer Deposition:原子层沉积)这样的成膜方法。
但是,这样的薄膜的微细化对流体控制设备要求至今为止以上的高频 度的开闭动作,有时由于该负荷而容易引起流体的漏出等。因此,对能够 容易地检测流体控制设备中流体漏出的技术的要求提高。
另外,不仅能够容易地检测漏出,还收集以往未考虑的流体控制设备 的使用频度、温度、湿度、以及振动等以上述漏出为代表对流体控制设备 的异常造成影响的各种环境因素信息,分析与异常的相关性,能够有助于 异常发生的预测的流体控制设备以及信息收集方法的要求提高。
另外,在半导体制造工艺中,由于使用反应性高、毒性极高的气体, 因此能够远程检测漏出是重要的。
另外,为了实现上述的ALD,流体控制设备与工艺腔室的配管连接距 离变得重要。即,为了使工艺气体的控制更高速化,将流体控制设备进一 步小型化并配置在工艺腔室的附近变得重要。
关于这一点,在专利文献1中,提出了由形成于控制流体流量的控制 器的外表面的孔和安装于该孔的泄漏检测部件构成的密封部破损检测机 构,上述孔与控制器内的空隙连通,上述泄漏检测部件由安装于上述孔的 筒状体和设置于该筒状体的可动部件构成,该可动部件通过在控制器内的 上述空隙内充满的漏出流体的压力而向上述筒状体的外方可动。
另外,在专利文献2中,提出了由形成于控制流体流量的控制器的外 表面的孔和安装于该孔的泄漏检测部件构成的带密封部破损检测机构的 控制器,上述孔与控制器内的空隙连通,上述泄漏检测部件因特定的流体 的存在而进行感应。
而且,在专利文献3中,提出了一种检测流体的泄漏的泄漏检测装置, 其具备:传感器保持体;超声波传感器,其以与泄漏端口对置的方式保持 于传感器保持体,所述泄漏端口设置于泄漏检测对象部件,并将泄漏检测 对象部件内的密封部分与外部进行连通;超声波通路,其设置在超声波传 感器的传感器面与泄漏端口之间;以及处理电路,其处理由超声波传感器 获得的超声波。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平04-093736号公报
专利文献2:日本特开平05-126669号公报
专利文献3:日本特开2014-21029号公报
发明内容
发明所要解决的问题
关于这一点,专利文献1、2、3记载的装置均为将检测异常的机构安 装在流体控制设备的外侧的装置。但是,在集成了多个流体控制设备的流 体控制装置中,由于通过使流体控制设备彼此紧密地邻接从而使其紧凑, 因此在流体控制设备的外侧设置用于检测异常的部件等不为优选。
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