[发明专利]电介质组合物和电子器件

说明书

本发明提供一种即使在高频区域也具有高的相对介电常数和高的Q值的电介质组合物和具有由其电介质组合物构成的电介质膜的电子器件。上述电介质组合物的特征在于含有通式(aCaO+bSrO)‑ZrO₂所示的复合氧化物作为主成分，a和b满足a≥0、b≥0、1.50＜a+b≤4.00的关系。

技术领域

本发明涉及电介质组合物和具有含有该电介质组合物的电介质膜的电子器件。

背景技术

对以智能手机为代表的移动通信设备的高性能化的要求越来越高，例如，为了能够进行高速且大容量的通信，所使用的频率区域的数量也在增加。所使用的频率区域是GHz频带那样的高频区域。在这样的高频区域内工作的滤波器、或者组合滤波器而成的双工器(Duplexer)、天线共用器(Diplexer)等高频器件中，有利用电介质材料所具有的介电特性的器件。作为这样的电介质材料，被要求在高频区域中介电损耗小、频率的选择性良好。

另外，随着移动体通信设备的高性能化，搭载于一个移动体通信设备的电子器件的数量也有增加的倾向，为了维持移动体通信设备的尺寸，也同时要求电子器件的小型化。为了使使用电介质材料的高频器件小型化，需要减小电极面积，所以为了弥补由此引起的静电电容的降低，要求电介质材料的相对介电常数要高。

因此，对于应用于在高频区域中使用的高频器件的电介质材料，被要求在高频区域中介电损耗小、且相对介电常数高。由于介电损耗的倒数表示为Q值，因此，换言之，期望在高频区域中相对介电常数和Q值都高的电介质材料。

一直以来，作为在GHz频带中介电损耗低的电介质材料，例如，可以例示非晶质SiN_x膜。但是，非晶质SiN_x膜的相对介电常数(εr)低至6.5左右，在应对高频器件的小型化的要求上是存在极限的。

另一方面，非专利文献1公开了以规定温度对CaZrO₃薄膜进行退火处理而得到CaZrO₃的非晶质薄膜的技术。根据非专利文献1，公开了该CaZrO₃的非晶质薄膜在测定频率为100kHz时相对介电常数为12.8～16.0，在测定频率为100kHz时介电损耗为0.0018～0.0027。

另外，非专利文献2公开了SrZrO₃薄膜，公开了该SrZrO₃薄膜在测定频率为2.6～11.2MHz的范围时相对介电常数为24～27，在测定频率为2.6～11.2MHz的范围时介电损耗为0.01～0.02的范围内。

现有技术文献

非专利文献

非专利文献1：T.Yu,et al,Preparation and characterization of sol-gelderived CaZrO3dielectric thin films for high-k applications,Physica B,348(2004)440-445

非专利文献2：X.B.Lu,et al,Dielectric properties of SrZrO3thin filmsprepared by pulsed laser deposition,Applied Physics A,77,481-484(2003)

发明内容

发明所要解决的课题

但是，当将非专利文献1记载的CaZrO₃的非晶质薄膜所显示的介电损耗换算为Q值时，在测定频率为100kHz时，为370～555。另外，根据非专利文献1的图7，在测定频率为1MHz的情况下，介电损耗成为0.005以上，即，Q值成为200以下。因此，预想在测定频率为GHz频带的情况下，Q值会进一步降低。