[发明专利]太阳能单电池

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

具有受光面和背面的第1导电型的半导体衬底；

形成在所述背面上的第1导电型的第1半导体层；

与形成在所述背面上的第1导电型为相反导电型的第2导电型的第2半导体层；

与所述第1半导体层电连接的第1电极；和

与所述第2半导体层电连接的第2电极，

所述半导体衬底具有：

具有第1导电型的杂质的第1杂质区域；和

第3杂质区域，其形成于所述第1杂质区域与所述第1半导体层之间，具有第1导电型的杂质，

所述第3杂质区域的第1导电型的杂质浓度高于所述第1杂质区域的第1导电型的杂质浓度，

所述半导体衬底与所述第1半导体层的接合是异质结。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：

还包括第4杂质区域，其形成于所述第1杂质区域与所述第2半导体层之间，具有第1导电型的杂质，

所述第4杂质区域的第1导电型的杂质浓度低于所述第3杂质区域的第1导电型的杂质浓度。

3.如权利要求1或者2所述的太阳能电池，其特征在于：

所述半导体衬底在所述背面具有由槽构成的凹凸结构，

所述第1半导体层形成于所述凹凸结构的凸部的上表面，

所述第2半导体层形成于所述凹凸结构的凹部的底面。

4.如权利要求1至3中任一项所述的太阳能电池，其特征在于：

包括形成于所述受光面上的钝化层，

所述半导体衬底具有形成于所述第1杂质区域与所述钝化层之间的、具有第1导电型的杂质的第2杂质区域，

所述第2杂质区域的第1导电型的杂质浓度高于所述第1杂质区域的第1导电型的杂质浓度，

所述半导体衬底与所述钝化层的接合是异质结。

5.如权利要求1至4中任一项所述的太阳能电池，其特征在于：

所述半导体衬底是结晶性的半导体衬底，

所述第1半导体层是非晶半导体层。

6.如权利要求1至5中任一项所述的太阳能电池，其特征在于：

所述半导体衬底是结晶性的硅衬底，

所述第1半导体层是本征非晶硅层与第1导电型非晶硅层的层叠结构。

7.如权利要求1至6中任一项所述的太阳能单电池，其特征在于：

所述第3杂质区域形成在所述半导体衬底内。

8.如权利要求1至6中任一项所述的太阳能单电池，其特征在于：

所述第3杂质区域形成在所述半导体衬底上。