[发明专利]流体控制装置有效

专利信息
申请号: 201880014233.3 申请日: 2018-02-23
公开(公告)号: CN110337542B 公开(公告)日: 2021-04-27
发明(设计)人: 冈口健二朗;田中伸拓 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: F04B43/04 分类号: F04B43/04;F04B43/02
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 舒艳君;金雪梅
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 流体 控制 装置
【权利要求书】:

1.一种流体控制装置,具备:

压电泵,具有压电元件;

驱动电路,被施加驱动电源电压,来驱动上述压电元件;以及

起动电路,设置在上述驱动电路与电源电压的输入部之间,

上述起动电路使上述驱动电源电压在起动后的第一阶段上升到小于稳态电压的电压,在接着该第一阶段的第二阶段使上述驱动电源电压维持或者下降,在接着该第二阶段的第三阶段使上述驱动电源电压上升到稳态电压,

上述起动电路具有对上述驱动电路施加上述驱动电源电压的构成第一路径的第一电路、以及对上述驱动电路施加上述驱动电源电压的构成第二路径的第二电路,

上述第一电路是在向上述电源电压的输入部施加上述电源电压后至少遍及上述第一阶段的期间内导通,并且遍及上述第三阶段的期间内不导通的电路,

上述第二电路是在经过上述第二阶段后导通的电路,

上述第一电路包含第一开关元件和二极管,其中,上述第一开关元件对上述驱动电路施加上述驱动电源电压,上述二极管在从施加上述驱动电源电压到上述第二电路导通为止的期间反向导通。

2.根据权利要求1所述的流体控制装置,其中,

从上述第二阶段向上述第三阶段切换时的上述驱动电源电压为上述第一阶段开始时的电压以上。

3.根据权利要求1或者2所述的流体控制装置,其中,

上述第二电路包含第二开关元件和第二延迟电路,其中,上述第二开关元件对上述驱动电路施加上述驱动电源电压,上述第二延迟电路使该第二开关元件在上述第二阶段结束时导通。

4.一种流体控制装置,具备:

压电泵,具有压电元件;

驱动电路,被施加驱动电源电压,来驱动上述压电元件;以及

起动电路,设置在上述驱动电路与电源电压的输入部之间,

上述起动电路使上述驱动电源电压在起动后的第一阶段上升到小于稳态电压的电压,在接着该第一阶段的第二阶段使上述驱动电源电压维持或者下降,在接着该第二阶段的第三阶段使上述驱动电源电压上升到稳态电压,

上述起动电路具有对上述驱动电路施加上述驱动电源电压的构成第一路径的第一电路、以及对上述驱动电路施加上述驱动电源电压的构成第二路径的第二电路,

上述第一电路是在向上述电源电压的输入部施加上述电源电压后至少遍及上述第一阶段的期间内导通,并且遍及上述第三阶段的期间内不导通的电路,

上述第二电路是在经过上述第二阶段后导通的电路,

上述第一电路包含第一开关元件和第一延迟电路,其中,上述第一开关元件对上述驱动电路施加上述驱动电源电压,上述第一延迟电路在施加上述驱动电源电压后遍及上述第一阶段的期间内使上述第一开关元件导通,并且遍及上述第三阶段的期间内使上述第一开关元件不导通,

上述第一开关元件以及上述第一延迟电路由第一MOS-FET构成,

上述第一开关元件是将上述第一MOS-FET的漏极作为集电极、并将源极作为发射极的寄生晶体管,

上述第一延迟电路是由构成在上述寄生晶体管的基极与上述集电极之间的上述第一MOS-FET的寄生电容器、以及构成在上述基极与上述发射极之间的上述第一MOS-FET的寄生电阻构成的CR时间常数电路。

5.根据权利要求4所述的流体控制装置,其中,

从上述第二阶段向上述第三阶段切换时的上述驱动电源电压为上述第一阶段开始时的电压以上。

6.根据权利要求4或者5所述的流体控制装置,其中,

上述第二电路包含第二开关元件和第二延迟电路,其中,上述第二开关元件对上述驱动电路施加上述驱动电源电压,上述第二延迟电路使该第二开关元件在上述第二阶段结束时导通。

7.根据权利要求4所述的流体控制装置,其中,

上述第二电路包含第二MOS-FET和第二延迟电路,其中,上述第二MOS-FET与上述第一MOS-FET并联连接,且p型和n型的结构与上述第一MOS-FET相反,

上述第二延迟电路在上述第二阶段结束时使上述第二MOS-FET导通。

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