[发明专利]半导体装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201880013830.4 申请日: 2018-02-16
公开(公告)号: CN110366776A 公开(公告)日: 2019-10-22
发明(设计)人: 泉龙介;吉田典史 申请(专利权)人: 株式会社电装
主分类号: H01L23/29 分类号: H01L23/29;H01L21/56;H01L23/31;B29C33/12;B29C39/10;B29C39/24
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 吕文卓
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 一次成型体 插入孔 半导体芯片 半导体装置 树脂材料 树脂 框体 物理量 二次成型 一次成型 一体地 检测 覆盖 制造
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,

具备:

一次成型体(10),具备具有检测物理量的检测部的半导体芯片(12)和由树脂材料形成的一次成型树脂(13);

框体零件(20),形成有用于将所述一次成型体插入的插入孔(21);以及

二次成型树脂(30),由树脂材料形成,将所述一次成型体的表面中的从所述插入孔露出的区域、和所述框体零件的表面中的包含将所述插入孔围绕的区域的一部分区域一体地覆盖,

所述一次成型体的包含所述半导体芯片的部分插入于所述插入孔中。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

在所述插入孔的内部,以所述插入孔所延伸的方向为插入方向,以所述一次成型体的表面中的所述插入方向上的面为插入面(10a),形成有用于承接所述一次成型体的推压面(21a、29a),该推压面与所述插入面中的与沿着所述插入方向突出的前端部(10b)不同的部分接触。

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

所述推压面(21a)是从所述插入方向观察所述插入孔时的所述插入孔的底面。

4.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

所述推压面(29a)是形成在从所述插入方向观察所述插入孔时的所述插入孔的内壁面并从所述内壁面向与所述插入方向交叉的方向突出的突起(29)的所述插入面侧的面。

5.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,

从所述插入方向来看,所述框体零件在所述底面的与所述前端部重叠的区域形成有从所述底面向所述插入方向凹陷的凹陷部(22)。

6.根据权利要求2至5中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

在所述推压面形成有承接部(21c),该承接部朝向所述一次成型体突出而形成,并且该承接部与所述插入面中的不同于所述前端部的部分接触而承接所述一次成型体。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

以所述插入孔所延伸的方向为插入方向,在从所述插入方向观察所述插入孔时的所述插入孔的内壁面,形成有以所述插入方向为轴的径向上的尺寸随着朝向所述突出方向而增大的倾斜面(27),

所述一次成型体形成有沿着所述倾斜而所述径向上的尺寸增大的倾斜追随突起(15)。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

以所述插入孔所延伸的方向为插入方向,从所述插入方向观察所述插入孔时的所述插入孔的内壁面与所述一次成型体的间隙为200μm以下。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

以所述插入孔所延伸的方向为插入方向,从所述插入方向来看,所述框体零件在所述插入孔的内壁面形成有沿着以所述插入方向为轴的径向突出的筋肋(26)。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

以所述插入孔所延伸的方向为插入方向,所述一次成型体形成有沿着以所述插入方向为轴的径向突出的飞边抑制突起(16),并且所述飞边抑制突起被插入于所述插入孔。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述框体零件是由树脂材料形成的弹性体。

12.根据权利要求11所述的半导体装置,其特征在于,

所述框体零件由与所述二次成型树脂相同的树脂材料形成。

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