[发明专利]纳米金属化合物粒子及使用了其的涂料及膜、膜的制造方法、纳米金属化合物粒子的制造方法

权利要求书

1.一种膜，其含有50体积％以上的纳米金属氧化物粒子，在将对平均粒径为50nm以下的金属氧化物粒子通过光谱椭圆偏振法进行分析而得到的结果使用下述理论式拟合成洛伦兹模型时，振子的共振频率的峰ω_t为0.5eV≤ω_t≤2.8eV，

理论式中，ω为入射光的频率，ω_t为振子的共振频率(Oscillator center)，γ₀为衰减常数(Damping factor)，f为振子强度(Amplitude)，ε(ω)为介电函数，ε^∞为高频的介电函数的极限值，i为虚数。

2.根据权利要求1所述的膜，其中，0.5eV≤ω_t≤2eV。

3.根据权利要求1至权利要求2中任一项所述的膜，其中，所述纳米金属氧化物粒子的平均粒径为15nm以下。

4.根据权利要求1至权利要求3中任一项所述的膜，其中，所述纳米金属氧化物粒子的粒径为100nm以下。

5.根据权利要求1至权利要求4中任一项所述的膜，其中，所述金属氧化物粒子具有缺损。

6.根据权利要求1至权利要求5中任一项所述的膜，其中，所述金属氧化物具有氧缺损。

7.根据权利要求1至权利要求5中任一项所述的膜，其中，所述金属氧化物为选自由以WO_3-x表示且0x3的氧化物、以MoO_3-x表示且0x3的氧化物、以IrO_2-x表示且0x2的氧化物、以NiO_1-x表示且0x1的氧化物、及以TiO_2-x表示且0x2的氧化物构成的组中的1种或2种以上。

8.根据权利要求1至权利要求7中任一项所述的膜，其被用于选自由半导体、电池用电极、光催化剂、传感器、电致变色元件构成的组中的1种。

9.根据权利要求1至权利要求8中任一项所述的膜，其中，膜厚为1μm以下。

10.根据权利要求1至权利要求9中任一项所述的膜，其中，在将对所述膜通过光谱椭圆偏振法分析而得到的结果使用下述理论式拟合成洛伦兹模型时，振子的共振频率的峰ω_t为0.5eV≤ω_t≤2.8eV，

理论式中，ω为入射光的频率，ω_t为振子的共振频率(Oscillator center)，γ₀为衰减常数(Damping factor)，f为振子强度(Amplitude)，ε(ω)为介电函数，ε^∞为高频的介电函数的极限值，i为虚数。

11.权利要求1至权利要求10中任一项所述的膜的制造方法，其包括：涂布含有所述纳米金属氧化物粒子的糊剂而形成纳米金属氧化物粒子糊剂膜的工序；和使所述纳米金属氧化物粒子糊剂膜干燥的工序。

12.一种纳米金属氧化物粒子的制造方法，其包括：对沉积时厚度成为50nm～200nm的沉积量的纳米金属氧化物粒子通过光谱椭圆偏振法进行分析，将分析的结果使用下述理论式拟合成洛伦兹模型的工序；和选择振子的共振频率的峰ω_t为0.5eV≤ω_t≤2.8eV且平均粒径为50nm以下的纳米金属氧化物粒子的工序，

理论式中，ω为入射光的频率，ω_t为振子的共振频率(Oscillator center)，γ₀为衰减常数(Damping factor)，f为振子强度(Amplitude)，ε(ω)为介电函数，ε^∞为高频的介电函数的极限值，i为虚数。