[发明专利]用于处理腔室的气体分配设备

说明书

本文所说明的实施例大体涉及用于在基板上沉积材料的设备与方法。在一个实现中，用于处理基板的处理腔室包含腔室主体与基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述腔室主体中并且适于支撑基板。所述处理腔室包含定位在所述基板支撑件上方的多个气体入口，以在所述基板支撑件上方引导处理气体。可移动式扩散器通过枢转架座被可枢转地安装为与所述基板支撑件相邻。所述可移动式扩散器包含沉积头，所述沉积头具有多个入口开口与多个排气开口，所述多个入口开口用于将处理气体导向所述基板支撑件，所述多个排气开口用于对所述可移动式扩散器设置在所述基板支撑件上方的处理气体提供排气。

技术领域

本文所描述的实现大体涉及半导体基板处理系统。更具体地，实现涉及用于在半导体基板处理系统中执行沉积处理的方法与设备。

现有技术

在集成电路的制造过程中，使用诸如化学气相沉积(CVD)或等离子体增强CVD处理的沉积处理，以在半导体基板上沉积各种材料的膜。本文中将这种处理集体称为CVD处理。在CVD处理完成后，膜被分析。分析时常显露出沉积在基板表面上的材料的厚度与其他膜性质是不均匀的，且因此对最终装置成品的性能产生负面的影响。

因此需要用于改良处理腔室中基板上的沉积均匀性的设备与方法。

发明内容

本文所描述的实现大体涉及用于在基板上沉积材料的设备与方法。在一个实现中，设备一般而言包含用于处理基板的处理腔室。在一个实现中，处理腔室包含腔室主体，腔室主体具有设置在腔室主体内的基板支撑件，基板支撑件适于支撑基板。处理腔室也包含多个气体入口，以在基板支撑件上方引导处理气体。处理腔室进一步包含可移动式扩散器，可移动式扩散器被经由枢转架座可枢转地安装为与基板支撑件相邻。可移动式扩散器包含臂处理气体流动路径与排气流动路径，臂处理气体流动路径导致形成在可移动式扩散器中的多个入口开口用于将处理气体导向基板支撑件，排气流动路径导致形成在可移动式扩散器中的多个排气开口用于对可移动式扩散器设置在基板支撑件上方的处理气体提供排气。

在另一实现中，处理腔室包含腔室主体以及基板支撑件，基板支撑件设置在腔室主体内以支撑基板。多个气体入口定位在基板支撑件上方，以在基板支撑件上方引导处理气体。可移动式扩散器被装设为与基板支撑件相邻。可移动式扩散器具有臂处理气体流动路径，臂处理气体流动路径导致可移动式扩散器中的入口开口用于将处理气体导向基板支撑件。可移动式扩散器可被旋转到多个操作位置，其中可移动式扩散器的入口开口被定位在基板支撑件对于多个操作位置中的每一个操作位置的不同区域的上方。

在另一实现中，处理腔室提供一种用于在处理腔室中处理基板的方法，包含：将可移动式扩散器旋转至基板的所选择沉积区域上方的操作位置。可移动式扩散器具有多个入口开口与多个排气开口。方法包含在沉积流动周期期间内，从可移动式扩散器的多个入口开口将处理气体注入到基板的所选择沉积区域上。方法包含在沉积流动周期期间内，将从可移动式扩散器的入口开口注入的处理气体通过可移动式扩散器中的排气开口排气。方法包含在沉积流动周期期间内，从定位在基板上方且在可移动式扩散器的入口开口上方的多个气体入口注入隔离气体。方法包含在沉积流动周期期间内，将来自气体入口的隔离气体通过腔室主体中的真空通口排气。

附图说明

可以参考多个实现以更具体地说明以上简要总结的本公开内容，以更详细了解本公开内容的上述特征，附图说明了其中一些实现。然而应注意到，附图仅图示本公开的所选择的实现，并且因此不应被视为限制本公开内容的范围，因为公开内容可以允许其他等效的实现。

图1描绘了根据一个实现的处理腔室的示意截面图；

图2描绘了根据一个实现的图示可移动式扩散器的位置的处理腔室的示意俯视图。

图3A描绘了根据一个实现的可移动式扩散器组件的示意截面图。

图3B描绘了根据一个实现的可移动式扩散器组件的沉积头的示意截面图。