[发明专利]单晶硅锭的制造方法及单晶硅培育装置

权利要求书

1.一种单晶硅锭的制造方法，其利用单晶硅培育装置制造单晶硅锭，所述单晶硅培育装置具有：坩埚，储存硅熔液；腔室，容纳该坩埚；压力调整部，调整该腔室内的压力；提拉部，从所述硅熔液提拉单晶硅锭；气体供给部，向所述腔室内供给Ar气体；气体排出部，从所述腔室排出所述Ar气体；及引导部，配置在所述硅熔液的表面的上方，且以使所述Ar气体沿着所述硅熔液的表面流动的方式进行引导，所述单晶硅锭的制造方法的特征在于，

所述硅熔液中添加有n型掺杂剂，

所述单晶硅锭的制造方法包括：

提拉工序，通过提拉法提拉所述单晶硅锭；

测定工序，测定在所述提拉工序中掺入所述Ar气体中的、从所述硅熔液蒸发的所述n型掺杂剂气体的气体浓度；及

提拉条件值调整工序，一边进行所述提拉工序，一边以使在所述测定工序中测定的掺杂剂气体的气体浓度落入到目标气体浓度的范围内的方式调整包含所述腔室内的压力、所述Ar气体的流量以及所述引导部及所述硅熔液的间隔中的至少任一个的提拉条件值。

2.根据权利要求1所述的单晶硅锭的制造方法，其中，

所述目标浓度在晶体生长方向上恒定。

3.根据权利要求1或2所述的单晶硅锭的制造方法，其中，

所述测定工序中，测定所述Ar气体的排出口侧上的与所述Ar气体一同排出的所述掺杂剂气体的气体浓度。

4.根据权利要求1或2所述的单晶硅锭的制造方法，其中，

使用质谱仪测定所述掺杂剂气体的气体浓度。

5.根据权利要求3所述的单晶硅锭的制造方法，其中，

使用质谱仪测定所述掺杂剂气体的气体浓度。

6.根据权利要求1或2所述的单晶硅锭的制造方法，其中，

所述n型掺杂剂为Sb或As。

7.根据权利要求3所述的单晶硅锭的制造方法，其中，

所述n型掺杂剂为Sb或As。

8.一种单晶硅培育装置，其具有：坩埚，储存添加有n型掺杂剂的硅熔液；升降旋转机构，设在所述坩埚的下端，并旋转及升降所述坩埚；腔室，容纳所述坩埚；压力调整部，调整该腔室内的压力；提拉部，通过提拉法从所述硅熔液提拉单晶硅锭；气体供给部，向所述腔室内供给Ar气体；气体排出部，从所述腔室排出所述Ar气体；及引导部，配置在所述硅熔液的表面的上方，且以使所述Ar气体沿着所述硅熔液的表面流动的方式进行引导，所述单晶硅培育装置中，

在所述Ar气体的排出口侧还具有测定与所述Ar气体一同排出、从所述硅熔液蒸发并在构成元素中包含所述n型掺杂剂的掺杂剂气体的气体浓度的测定部，

其还具有控制部，所述控制部控制所述升降旋转机构、所述压力调整部、所述提拉部、所述气体供给部及所述测定部，

经由所述控制部，一边进行所述提拉，一边以使通过所述测定部测定的气体浓度落入到目标气体浓度的范围内的方式，调整包含所述腔室内的压力、所述Ar气体的流量、以及所述引导部及所述硅熔液的间隔中的至少任一个的提拉条件值。

9.根据权利要求8所述的单晶硅培育装置，其中，

所述测定部为质谱仪。

10.根据权利要求8或9所述的单晶硅培育装置，其中，

所述n型掺杂剂为Sb或As。