[发明专利]硅基熔融组合物和使用其的碳化硅单晶的制造方法有效
| 申请号： | 201880012928.8 | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110382751B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 李虎林;郑粲烨;朴满植;高正旼 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B9/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵丹;冷永华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 熔融 组合 使用 碳化硅 制造 方法 | ||
1.一种硅基熔融组合物，其用于形成碳化硅单晶的溶液生长法，并且
由下式1表示，包含硅、第一金属M1、钪(Sc)和铝(Al)，
式1
SiaM1bSccAld
在式1中，a大于0.4且小于0.8，b大于0.2且小于0.6，c大于0.01且小于0.1，以及d大于0.01且小于0.1，
其中所述第一金属M1包括铬。
2.根据权利要求1所述的硅基熔融组合物，其中：
在式1中，a大于0.5且小于0.7，b大于0.2且小于0.4，以及d大于0.01且小于0.05。
3.根据权利要求1所述的硅基熔融组合物，其中：
所述组合物的碳溶解度为5％或更大。
4.根据权利要求1所述的硅基熔融组合物，其中：
所述钪增加硅基熔融溶液中的碳溶解度。
5.一种碳化硅单晶的制造方法，包括：
准备碳化硅籽晶，
准备硅基熔融组合物，所述硅基熔融组合物包含硅(Si)、第一金属M1、钪(Sc)和铝(Al)，并且由下式1表示，
向所述硅基熔融组合物中添加碳(C)以形成熔融溶液，以及
使所述熔融溶液过冷以在所述籽晶上生长所述碳化硅单晶：
式1
SiaM1bSccAld
在式1中，a大于0.4且小于0.8，b大于0.2且小于0.6，c大于0.01且小于0.1，以及d大于0.01且小于0.1，
其中所述第一金属M1包括铬。
6.根据权利要求5所述的碳化硅单晶的制造方法，其中：
在式1中，a大于0.5且小于0.7，b大于0.2且小于0.4，以及d大于0.01且小于0.05。
7.根据权利要求5所述的碳化硅单晶的制造方法，其中：
所述硅基熔融组合物的碳溶解度为5％或更大。
8.根据权利要求5所述的碳化硅单晶的制造方法，其中：
所述钪增加所述熔融溶液中的碳溶解度。
9.根据权利要求5所述的碳化硅单晶的制造方法，其中：
所述碳化硅的生长速度为80μm/小时或更大。
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