[发明专利]具有保护反馈电路的高功率放大器电路

权利要求书

1.一种用于提供至少100W的输出的射频功率放大器电路，包括场效应晶体管，其中，场效应晶体管的漏极与保护反馈电路连接，并且保护反馈电路被布置为：如果场效应晶体管的栅极和漏极之间的电压超过反馈阈值电压，则减小场效应晶体管的漏极处的过电压能量，

所述射频功率放大器电路的特征在于，

所述保护反馈电路包括布置在所述场效应晶体管的漏极和栅极之间的电容，其中，至少一个雪崩二极管与所述电容并联地布置，

所述保护反馈电路包括布置在所述电容和所述漏极之间的开关二极管，并且，

所述保护反馈电路包括布置在所述至少一个雪崩二极管与所述场效应晶体管的栅极之间的电阻器。

2.根据权利要求1所述的射频功率放大器电路，其中，所述射频功率放大器电路提供至少200W的输出。

3.根据权利要求1所述的射频功率放大器电路，其中，所述射频功率放大器电路提供至少250W的输出。

4.根据权利要求1所述的射频功率放大器电路，其中，所述场效应晶体管的漏极借助于所述保护反馈电路与所述场效应晶体管的栅极连接。

5.根据权利要求4所述的射频功率放大器电路，其中，所述保护反馈电路被布置为在所述场效应晶体管中建立传导路径，使得在漏极处的所述过电压能量的至少一部分通过所述传导路径耗散。

6.根据权利要求1所述的射频功率放大器电路，其中，所述保护反馈电路被布置为：在所述漏极和栅极之间的电压超过所述反馈阈值电压之后，将所述场效应晶体管的栅极电压增加到栅极阈值电压之上。

7.根据权利要求1所述的射频功率放大器电路，其中，所述保护反馈电路被布置为减小所述场效应晶体管的雪崩击穿的能量。

8.根据权利要求1所述的射频功率放大器电路，其中，所述射频功率放大器电路包括以推挽式布置方式布置的两个场效应晶体管，并且其中，每个所述场效应晶体管受到相应的保护反馈电路的保护。

9.一种射频放大器装置，包括根据权利要求1所述的射频功率放大器电路、输入网络和输出网络，所述射频放大器装置的特征在于标称工作频率在1MHz和100MHz之间。

10.根据权利要求9所述的射频放大器装置，其中，所述标称工作频率在5MHz和85MHz之间。

11.一种用于向负载提供电射频的电射频发生器，所述电射频发生器包括根据权利要求9所述的射频放大器装置。

12.一种等离子体处理系统，包括根据权利要求11所述的电射频发生器和等离子体腔。

13.一种保护根据权利要求1至8中任一项所述的射频功率放大器电路中的场效应晶体管的方法，该方法包括以下步骤：

-提供反馈阈值电压，

-如果场效应晶体管的栅极和漏极之间的电压超过反馈阈值电压，则减小场效应晶体管的漏极处的能量。