[发明专利]用于铁电存储器的自我参考

说明书

本发明描述用于自我参考存储器单元的方法、系统及设备。单元的参考值可通过所述单元上的多个感测操作来产生。所述单元可被感测若干次且至少两个感测操作的平均值可用作为另一感测操作的参考。例如，所述单元可被感测且所得电荷可存储于电容器处。所述单元可偏压到一个状态、可被再次感测、且所得电荷可存储于另一电容器处。所述单元可偏压到另一状态、可被第三次感测且所得电荷可存储于另一电容器处。来自所述第二及所述第三感测操作的值可平均化且用作为与所述第一感测操作的值相比较的参考值以确定所述单元的逻辑状态。

交叉参考

本专利申请案主张让渡给其受让人的2017年2月24日申请的标题为“用于铁电存储器的自我参考(Self-Reference for Ferroelectric Memory)”的维梅尔卡蒂(Vimercati)的第15/442,182号美国专利申请案的优先权。

背景技术

下文大体上涉及存储器装置且更具体来说，下文涉及铁电存储器的自我参考。

存储器装置广泛用于将信息存储于例如计算机、无线通信装置、摄像机、数字显示器及其类似者的各种电子装置中。信息通过编程存储器装置的不同状态而存储。举例来说，二进制装置具有两种状态，通常由逻辑“1”或逻辑“0”表示。在其它系统中，可存储两个以上状态。为存取所存储的信息，电子装置可读取或感测存储器装置中的存储状态。为存储信息，电子装置可编写或编程存储器装置中的状态。

存在各种类型的存储器装置，其包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、快闪存储器及其它存储器装置。存储器装置可为易失性或非易失性。即使在无外部电源存在下，非易失性存储器(例如快闪存储器)也可存储数据达延伸时段。除非易失性存储器装置(例如DRAM)由外部电源周期性刷新，否则非易失性存储器装置会随时间失去其存储状态。二进制存储器装置可(例如)包含充电或放电电容器。然而，充电电容器通过泄漏电流随时间放电从而导致存储信息的损失。易失性存储器的某些特征可提供例如较快读取或写入速度的性能优点，而例如在无需周期性刷新的情况下存储数据的能力的非易失性存储器的特征可为有利的。

FeRAM可使用类似于易失性存储器的装置架构但可归因于将铁电电容器用作为存储装置而具有非易失性性质。因此，FeRAM装置可具有相较于其它非易失性及易失性存储器装置的改进性能。然而，一些FeRAM感测方案在存储器单元上产生过量印记及疲劳且另外可能由于感测方案的参考值中的变化而是不准确的。这可降低感测操作的可靠性或可减少存储器单元的有效寿命。

附图说明

本文的揭示内容涉及且包含以下图:

图1说明根据本发明的实例的支持用于铁电存储器的自我参考的实例存储器阵列；

图2说明根据本发明的实例的支持用于铁电存储器的自我参考的实例电路；

图3说明根据本发明的实例的支持自我参考的单元的实例磁滞曲线；

图4说明根据本发明的实例的支持用于铁电存储器的自我参考的实例电路；

图5说明根据本发明的实例的使用用于铁电存储器的自我参考来操作铁电电存储器的时序图；

图6说明根据本发明的实例的支持用于铁电存储器的自我参考的实例铁电存储器阵列；

图7说明根据本发明的实例的支持用于铁电存储器的自我参考的装置，其包含存储器阵列；及

图8到9是说明根据本发明的实例的用于铁电存储器的自我参考的方法或若干方法的流程图。

具体实施方式