[发明专利]用于高侧开关的栅极驱动器电路

权利要求书

1.一种用于驱动高侧开关的栅极驱动器电路，所述栅极驱动器电路包括：

样本和电平移位电路，所述样本和电平移位电路连接到所述高侧开关，并且所述样本和电平移位电路连接到第一放大器的输出端，并且其中所述样本和电平移位电路包括取样电容器，所述取样电容器被配置为对所述第一放大器的输出电压进行取样；

第一电压供应，所述第一电压供应连接到所述第一放大器；

第一电阻器，所述第一电阻器将第二电压供应连接到第二放大器的一输入端，其中所述第一放大器的输入端连接到所述第二放大器的输出端；以及

与晶体管串联连接的第二电阻器，其中所述第二电阻器和所述晶体管与所述高侧开关并联连接并且所述第二电阻器将所述第二电压供应连接到所述第二放大器的另一输入端；

其中：所述取样电容器被进一步配置为对所述高侧开关的栅极电容充电；并且

所述第一放大器被配置为限制高侧开关输出电流。

2.根据权利要求1所述的栅极驱动器电路，其中所述高侧开关为n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOS晶体管)。

3.根据权利要求2所述的栅极驱动器电路，还包括电路负载，所述电路负载连接到所述n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极侧。

4.根据权利要求1所述的栅极驱动器电路，其中所述第一放大器和所述第二放大器被配置为在第二电压至所述第二电压供应的共模电压范围内工作，所述第二电压小于所述第二电压供应。

5.根据权利要求1所述的栅极驱动器电路，其中所述取样电容器在2pF至250pF的电容范围内。

6.根据权利要求1所述的栅极驱动器电路，其中所述栅极驱动器电路为单个芯片上的集成电路。

7.根据权利要求1所述的栅极驱动器电路，其中所述第二电阻器包括电流感测电阻器。

8.一种用于驱动高侧开关的方法，所述方法包括：

向第一放大器供应第一电压供应的供应电压；

通过所述第一放大器来限制所述高侧开关的输出电流；

利用取样电容器对所述第一放大器的输出电压进行取样，所述取样电容器被配置用于所述输出电压的所述取样；

电平移位所述第一放大器的所述输出电压；

使用所述取样电容器对所述高侧开关的栅极电容充电；

提供第一电阻器，所述第一电阻器将第二电压供应连接到第二放大器的一输入端，其中所述第一放大器的输入端连接到所述第二放大器的输出端；以及

提供与晶体管串联连接的第二电阻器，其中所述第二电阻器和所述晶体管与所述高侧开关并联连接并且所述第二电阻器将所述第二电压供应连接到所述第二放大器的另一输入端。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括在所述高侧开关打开时向负载供应输入电压。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述高侧开关为n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOS晶体管)。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括将电路负载连接到所述n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极侧。

12.根据权利要求8所述的方法，还包括在第二电压至所述第二电压供应的共模电压范围内操作所述第一放大器和所述第二放大器，所述第二电压小于所述第二电压供应。

13.根据权利要求8所述的方法，其中所述取样电容器在2pF至250pF的电容范围内。

14.根据权利要求8所述的方法，其中步骤由单个芯片上的集成电路进行。

15.根据权利要求8所述的方法，其中所述第二电阻器包括电流感测电阻器。