[发明专利]用于深沟槽内的低温选择性外延的方法及设备

权利要求书

1.一种用于处理半导体基板的群集工具，包括：

传送腔室；

预清洁腔室，所述预清洁腔室耦接到所述传送腔室；

等离子体清洁腔室，所述等离子体清洁腔室与所述传送腔室耦接；

沉积腔室，所述沉积腔室耦接到所述传送腔室；及

热处理腔室，所述热处理腔室耦接到所述传送腔室。

2.如权利要求1所述的群集工具，其中所述预清洁腔室和所述等离子体清洁腔室中的至少一个具有可操作以产生电中性自由基的电感耦合等离子体源。

3.如权利要求2所述的群集工具，其中所述电感耦合等离子体源是与所述预清洁腔室物理分离的远程等离子体源。

4.如权利要求1所述的群集工具，其中所述预清洁腔室具有使用He和NF₃的电容耦合等离子体源。

5.如权利要求4所述的群集工具，其中所述预清洁腔室具有耦接到偏压RF电源的基板支撑件。

6.如权利要求1所述的群集工具，其中所述沉积腔室是外延腔室，所述外延腔室包括液体前驱物蒸发器。

7.如权利要求1所述的群集工具，进一步包括耦接到所述传送腔室的等离子体蚀刻腔室。

8.如权利要求2所述的群集工具，其中所述电感耦合等离子体源包括一组线圈天线。

9.如权利要求1所述的群集工具，其中所述沉积腔室是包括液体前驱物蒸发器的外延腔室，所述预清洁腔室是远程等离子体腔室，及所述等离子体清洁腔室包括电感耦合等离子体源，所述电感耦合等离子体源包含一组线圈天线。

10.一种用于处理半导体基板的群集工具，包括：

传送腔室，所述传送腔室耦接到负载锁定腔室；

第一清洁腔室，所述第一清洁腔室耦接到所述传送腔室，所述第一清洁腔室包括电容耦合等离子体源和耦接到偏压RF电源的基板支撑件；

第二清洁腔室，所述第二清洁腔室耦接到所述传送腔室，所述第二清洁腔室包括电感耦合等离子体源；

外延腔室，所述外延腔室耦接到所述传送腔室，所述外延腔室包括液体前驱物蒸发器；及

热处理腔室，所述热处理腔室耦接到所述传送腔室。

11.如权利要求10所述的群集工具，其中所述电容耦合等离子体源可操作以使用含有He和NF₃的等离子体来将原生氧化物自所述基板去除。

12.如权利要求10所述的群集工具，其中所述电感耦合等离子体源可操作以产生含氢自由基。

13.如权利要求10所述的群集工具，其中所述电感耦合等离子体源包括一组线圈天线。

14.一种用于处理半导体基板的群集工具，包括：

传送腔室，所述传送腔室耦接到负载锁定腔室；

第一清洁腔室，所述第一清洁腔室耦接到所述传送腔室，所述第一清洁腔室包括远程等离子体源和加热气体分配板；

第二清洁腔室，所述第二清洁腔室耦接到所述传送腔室，所述第二清洁腔室包括具有一组天线线圈的电感耦合等离子体源；

外延腔室，所述外延腔室耦接到所述传送腔室，所述外延腔室包括液体前驱物蒸发器；及

热处理腔室，所述热处理腔室耦接到所述传送腔室。

15.如权利要求14所述的群集工具，其中所述热处理腔室是热氧化腔室。