[发明专利]用于测量三维半导体晶片上的掩埋缺陷的三维校准结构及方法

权利要求书

1.一种系统，其包括：

控制器，其中所述控制器包含经配置以从特性化工具接收一或多个测量值的一或多个处理器，其中所述控制器包含经配置以存储程序指令集的存储器，其中所述一或多个处理器经配置以执行所述程序指令集，其中所述程序指令集经配置以引起所述一或多个处理器：

接收三维校准结构的一或多个测量值；

接收样本的一或多个测量值；及

基于所述三维校准结构的所述一或多个接收到的测量值校正所述样本的所述一或多个接收到的测量值。

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述三维校准结构包括：

缺陷标准晶片DSW，其包含一或多个经编程表面缺陷；

平坦化层，其沉积于所述DSW上；

层堆叠，其沉积于所述平坦化层上，其中所述层堆叠包含两个或多于两个交替层；

罩盖层，其沉积于所述层堆叠上，其中在沉积所述罩盖层之后，在所述层堆叠中形成一或多个气隙；及

一或多个孔，其经图案化且经蚀刻到所述罩盖层、所述层堆叠或所述平坦化层中的至少一者中。

3.根据权利要求1所述的系统，其中所述罩盖层、所述层堆叠或所述平坦化层中的至少一者经图案化且经蚀刻以形成所述一或多个孔。

4.根据权利要求1所述的系统，其中所述层堆叠经图案化且经蚀刻以形成所述一或多个气隙。

5.根据权利要求4所述的系统，其中所述一或多个气隙是通过以基本上垂直于所述一或多个孔的定向的定向图案化且蚀刻到所述层堆叠中而形成。

6.根据权利要求1所述的系统，其中所述特性化工具包括检验工具。

7.根据权利要求1所述的系统，其中所述特性化工具包括重检工具。

8.根据权利要求1所述的系统，其中所述特性化工具包括：

照明源，其经配置以产生第一照明光束；

一组聚焦光学器件，其经配置以将所述第一照明光束引导到所述三维校准结构的表面上；

至少一个检测器，其经配置以检测响应于所述第一照明光束的至少一部分而从所述三维校准结构的所述表面反射或散射的第二照明光束；

一组收集光学器件，其经配置以将从所述三维校准结构的所述表面反射或散射的所述第二照明光束引导到所述至少一个检测器；及

载物台，其用于固定所述三维校准结构或所述样本中的至少一者。

9.根据权利要求8所述的系统，其中所述特性化工具的所述至少一个检测器成像所述三维校准结构中的经编程缺陷。

10.根据权利要求9所述的系统，其进一步包括：

基准点产生工具，其中所述基准点产生工具将一或多个基准点沉积于所述三维校准结构上。

11.根据权利要求10所述的系统，其中以所选择的图案将所述一或多个基准点沉积于所述三维校准结构上。

12.根据权利要求10所述的系统，其中所述特性化工具的所述至少一个检测器测量对所述一或多个基准点的一或多个响应。

13.根据权利要求12所述的系统，其中所述程序指令集进一步经配置以引起所述一或多个处理器：

接收对所述一或多个基准点的所述一或多个经测量响应；及

确定在沿一或多个轴的一或多个方向上所述一或多个经测量响应相对于参考点的偏移误差。

14.根据权利要求13所述的系统，其进一步包括：

聚焦离子束工具，其中所述聚焦离子束工具将所述三维校准结构切割到对应于所述经编程缺陷的位置的已知深度。