[发明专利]NAND存储器阵列以及形成NAND存储器阵列的方法

权利要求书

1.一种NAND存储器阵列，其包括：

交替式绝缘层级和字线层级的竖直堆叠，所述字线层级具有对应于控制栅极区域的末端；

电荷捕集材料，其沿着所述字线层级的所述控制栅极区域，并且通过电荷阻挡材料与所述控制栅极区域间隔开；沿着竖直相邻字线层级的所述电荷捕集材料通过中介区域间隔开，其中阻止穿过所述中介区域的电荷迁移；和

沟道材料，其沿着所述堆叠竖直延伸并且通过电荷隧穿材料与所述电荷捕集材料间隔开。

2.根据权利要求1所述的NAND存储器阵列，其中所述电荷捕集材料包括硅和氮。

3.根据权利要求1所述的NAND存储器阵列，其中所述中介区域是延伸穿过所述电荷捕集材料的间隙。

4.根据权利要求1所述的NAND存储器阵列，其中所述中介区域是所述电荷捕集材料的变薄区域；沿着所述控制栅极区域的所述电荷捕集材料具有第一厚度，且所述电荷捕集材料的所述变薄区域具有小于所述第一厚度的二分之一的第二厚度。

5.根据权利要求4所述的NAND存储器阵列，其中所述第二厚度小于2nm。

6.根据权利要求4所述的NAND存储器阵列，其中所述第二厚度小于0.5nm。

7.一种NAND存储器阵列，其包括：

交替式绝缘层级和字线层级的竖直堆叠，所述字线层级具有对应于控制栅极区域的末端；所述绝缘层级包括竖直处于所述字线层级之间的第一绝缘材料；

电荷捕集材料，其沿着所述字线层级的所述控制栅极区域，并且通过电荷阻挡材料与所述控制栅极区域间隔开；沿着竖直相邻字线层级的所述电荷捕集材料通过阻止电荷迁移的第二绝缘材料的中介区域间隔开；和

沟道材料，其沿着所述堆叠竖直延伸并且通过电荷隧穿材料与所述电荷捕集材料间隔开。

8.根据权利要求7所述的NAND存储器阵列，其中所述电荷捕集材料包括硅和氮。

9.根据权利要求7所述的NAND存储器阵列，其包括沿着所述第一绝缘材料与第二绝缘材料的界面延伸到所述第一绝缘材料中的空隙。

10.根据权利要求7所述的NAND存储器阵列，其中所述第一绝缘材料具有沿着所述第一绝缘材料与第二绝缘材料的所述界面的第一竖直厚度，且其中所述第二绝缘材料具有沿着所述第一绝缘材料与第二绝缘材料的所述界面的小于或等于所述第一竖直厚度的约二分之一的第二竖直厚度。

11.根据权利要求7所述的NAND存储器阵列，其中所述第一绝缘材料与第二绝缘材料是彼此相同的组成物。

12.根据权利要求7所述的NAND存储器阵列，其中所述第一绝缘材料与第二绝缘材料是相对于彼此的不同组成物。

13.根据权利要求7所述的NAND存储器阵列，其中每一字线层级包括被外导电层环绕的导电芯；其中所述导电芯与所述外导电层包括不同组成物。

14.根据权利要求13所述的NAND存储器阵列，其中所述导电芯包括一或多种金属；且其中所述外导电层包括金属氮化物。

15.根据权利要求13所述的NAND存储器阵列，其另外包括环绕每一导电层级的所述外导电层的高k电介质材料。