[发明专利]锂电极的制造方法

权利要求书

1.一种锂电极的制造方法，所述方法包含以下步骤：

(S1)通过等离子体和电晕工序对基材的一个表面进行表面处理；

(S2)在所述表面处理后的基材上涂布用于保护锂金属的聚合物以形成保护层；

(S3)在所述保护层上沉积锂金属以形成锂金属层；和

(S4)将所述锂金属层转移到集电器上，

其中所述等离子体和电晕工序在0.6kW以上且小于1.5kW的功率下进行，

其中所述基材包含选自由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、三乙酸纤维素(TAC)、聚丙烯、聚乙烯和聚碳酸酯构成的组中的至少一种，

其中所述保护层包含选自由聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚偏二氟乙烯-六氟乙烯共聚物、环烯烃聚合物和丁苯橡胶-羧甲基纤维素(SBR-CMC)构成的组中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的锂电极的制造方法，其中所述基材具有在其至少一个表面上形成的剥离层，

其中所述剥离层包含选自由Si、三聚氰胺和氟构成的组中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的锂电极的制造方法，其中所述基材的至少一个表面涂布有低聚物阻挡涂层。

4.根据权利要求1所述的锂电极的制造方法，其中通过选自化学气相沉积法(CVD)和物理气相沉积法中的方法进行所述沉积。

5.根据权利要求1所述的锂电极的制造方法，其中所述锂金属层的厚度为5μm至50μm。

6.根据权利要求1所述的锂电极的制造方法，其中所述集电器是选自由铜、铝、镍、钛、焙烧碳和不锈钢构成的组中的一种。

7.根据权利要求1所述的锂电极的制造方法，其中所述锂电极包含集电器；在所述集电器上形成的锂金属层；以及在所述锂金属层上形成的保护层。