[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置

说明书

一种基板处理方法，包含：基板保持步骤，将具有金属膜已露出的上表面的基板保持为水平；基板旋转步骤，使所述基板绕着沿铅垂方向的旋转轴线而旋转；液膜形成步骤，将除气后的处理液供给至所述基板的上表面，由此在所述基板上形成所述处理液的液膜；以及膜厚调整步骤，以所述液膜的厚度成为100μm以上的方式来调整所述液膜的厚度。

技术领域

本发明涉及一种处理基板的基板处理方法以及基板处理装置。在成为处理对象的基板中，例如包含有半导体晶片(wafer)、液晶显示设备用基板、有机EL(Electroluminescence；电致发光)显示设备等的FPD(Flat PanelDisplay；平板显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、磁光盘用基板、光掩模(photomask)用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等的基板。

背景技术

在半导体装置或液晶显示设备等的制程中，进行从半导体晶圆或液晶显示用玻璃基板等的基板除去异物的清洗步骤。例如，在装配有晶体管(transistor)和电容器(capacitor)等器件的半导体晶片的表面形成多层配线的后段制程(BEOL：Back End ofthe Line)中，进行将通过干蚀刻(dry etching)或灰化(ashing)所产生的聚合物残渣予以除去的聚合物除去步骤。

在聚合物除去步骤中，对金属配线(例如，铜配线)已露出的基板的表面供给聚合物除去液等的处理液。可是，当氧浓度比较高的处理液供给至基板时，基板上的金属配线就会因为正溶解于处理液中的氧(溶解氧)所氧化，且形成金属氧化物。由于该金属氧化物因为被处理液腐蚀(蚀刻)，所以恐有使由该基板所制作成的器件的质量降低的担心。金属配线的蚀刻量伴随处理液中的氧浓度的增加而增加。另外，由于处理液中的溶解氧所致的基板上的金属配线的氧化，即便是在通过聚合物除去液以外的处理液进行的基板的处理中，仍可能发生。

于是，在下述专利文献1中已有提出在由旋转卡盘(spin chuck)所保持的基板与相向于基板的上表面的阻断板之间供给非活性气体，由此利用非活性气体来置换阻断板与基板之间的环境气体的技术。由此，由于基板的周围的环境气体中的氧浓度会降低，所以能降低溶解于已供给至基板上的处理液中的氧的量。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-77595号公报。

发明内容

发明所要解决的课题

只要可以省略非活性气体对环境气体的置换，就能缩短基板的处理所需的时间，且可以提高产能(throughput)(每单位时间的基板的处理片数)。

于是，本发明的一目的在于提供一种在处理具有金属膜已露出的表面的基板的构成中，不用降低基板的周围的环境气体中的氧浓度，就可以抑制因处理中的氧所引起的金属膜的氧化的基板处理方法以及基板处理装置。

用以解决课题的手段

本发明的一实施方式提供一种基板处理方法，包含：基板保持步骤，将具有金属膜已露出的上表面的基板保持为水平；基板旋转步骤，使所述基板绕着沿铅垂方向的旋转轴线而旋转；液膜形成步骤，将除气后的处理液供给至所述基板的上表面，由此在所述基板上形成所述处理液的液膜；以及膜厚调整步骤，以所述液膜的厚度成为100μm以上的方式来调整所述液膜的厚度。

依据该方法，在液膜形成步骤中得以在基板上形成有处理液的液膜。通过该液膜来覆盖已露出于基板的表面的金属膜。在膜厚调整步骤中，在液膜形成步骤中已形成于基板上的液膜的厚度调整成为100μm以上。为此，调整后的液膜有足够的厚度。