[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装

说明书

实施例中公开了一种半导体器件，包括：第一导电半导体层；第二导电半导体层；有源层，设置在第二导电半导体层和第二导电半导体层之间；第一电极，电连接到第一导电半导体层；以及第二电极，电连接到第二导电半导体层，其中，第一导电半导体层包括第一子半导体层、第三子半导体层，以及第二子半导体层，第二子半导体层设置在第一子半导体层和第三子半导体层之间，其中第一子半导体层中的铝的比例和第三子半导体层中的铝的比例二者的每一个均大于有源层中的铝的比例，第二子半导体层中的铝的比例小于第一子半导体层中的铝的比例和第三子半导体层中的铝的比例二者的每一个，其中第二导电半导体层包括电流注入层，其中铝的比例随着与有源层的距离的增加而减小，第一电极设置在第二子半导体层上，第二电极设置在电流注入层上，并且第二子半导体层的铝的比例的平均值与电流注入层的铝的比例的平均值的比率在1：0.12至1：1.6的范围内。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件以及包括该半导体器件的半导体器件封装。

背景技术

由于包括诸如GaN和AlGaN的化合物的半导体器件具有许多优点，能带隙宽且易于调节，因此半导体器件可以不同地用于发光器件、受光器件、各种二极管等。

特别是，诸如使用III-V或II-VI化合物半导体材料的发光二极管和激光二极管等发光器件可以表现出各种颜色，例如，红色、绿色和蓝色，随着薄膜生长技术和器件材料的发展，发出紫外光，当使用荧光体或混合颜色时，发出高效白光，并且当与诸如荧光灯和白炽灯等传统光源相比，具有低功耗、半永久寿命、高响应速度、安全和环境友好的优点。

另外，当使用III-V或II-VI化合物半导体材料制造诸如光电探测器和太阳能电池等受光器件时，由于受光器件因成熟的器件材料而吸收各种波长范围的光以产生电流，因此可以使用从伽马射线范围到射频范围的各种波长范围内的光。此外，由于受光器件具有高响应速度、安全、环境友好且器件材料易于调节的优点，因此可以容易地用于功率控制、微波电路或通信模块。

因此，半导体器件的应用扩展到光通信装置的传输模块、取代冷阴极荧光灯(CCFL)(其构成液晶显示器(LCD)装置的背光源)的发光二极管(LED)背光源、替代荧光灯或白炽灯的白色LED照明器件、车辆前灯、交通灯、以及被配置为检测气体或火灾的传感器。而且，半导体器件的应用可以扩展到高频应用电路、其他功率控制设备和通信模块。

特别地，紫外发光装置可以进行固化作用或杀菌作用，并且可以被用于固化、医疗和消毒目的。另外，紫外发光装置可以被用于气体传感器，因为车辆的废气吸收波长为230nm的光。

然而，存在的问题是由于为产生紫外波长带中的光而增加铝的比例，因此欧姆性能劣化。

发明内容

[技术问题]

本发明旨在提供一种具有改善的欧姆性能的发光器件。

实施例解决的目标不限于上述目标，并且将包括可以通过用于下面描述的目标和实施例的方案识别的目标和效果。

[技术方案]

本发明的一个方面提供一种半导体器件，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、有源层，设置在第二导电半导体层和第二导电半导体层之间，第一电极，电连接到第一导电半导体层，以及第二电极，电连接到第二导电半导体层，其中，第一导电半导体层包括第一子半导体层、第三子半导体层和设置在第一子半导体层和第三子半导体层之间的第二子半导体层，第一子半导体层中的铝的比例和第三子半导体层中的铝的比例的每一个均大于有源层中的铝的比例，第二子半导体层中的铝的比例小于第一子半导体层中的铝的比例和第三子半导体层中的铝的比例的每一个，第二导电半导体层包括电流注入层，在该电流注入层中，铝的比例在远离有源层的方向上减小，第一电极设置在第二子半导体层上，第二电极设置在电流注入层上，第二子半导体层的铝的比例的平均值与电流注入层的铝的比例的平均值的比率在1：0.12至1：1.6的范围内。

[有益效果]