[发明专利]OLED面板下部保护膜和包括其的有机发光显示设备有效
申请号: | 201880007584.1 | 申请日: | 2018-01-18 |
公开(公告)号: | CN110392942B | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 崔永瑞;金尚信;金珍赫;朴永敦;白英彬;李相雨 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/00;H01L51/56;B32B7/12;B32B27/36;B32B27/08;C09J133/00 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩芳;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 面板 下部 保护膜 包括 有机 发光 显示 设备 | ||
1.一种用于OLED面板的下部保护膜,所述用于OLED面板的下部保护膜包括:
基体载体膜,包括基体膜和载体膜,所述基体膜包括设置在第一基体材料的上表面上的第一粘合层,所述载体膜包括粘附到所述第一基体材料的下表面的第二粘合层和粘附到所述第二粘合层的下表面的第二基体材料;以及
衬垫膜,使用所述第一粘合层而被粘附,
其中,所述用于OLED面板的下部保护膜满足下面的条件(1)和条件(2)两者:
(1)在400nm至700nm的波长下,所述用于OLED面板的下部保护膜的反射率为12%至18%;以及
(2)在400nm至700nm的波长下,所述衬垫膜与所述基体载体膜之间的反射率比值为1:0.3至1:3.0,
其中,所述第一粘合层的厚度为10μm至30μm,并且所述第一基体材料的厚度为65μm至140μm,
其中,所述衬垫膜的厚度为55μm至95μm,所述第二粘合层的厚度为1μm至10μm,并且所述第二基体材料的厚度为20μm至60μm。
2.根据权利要求1所述的用于OLED面板的下部保护膜,其中,所述用于OLED面板的下部保护膜满足下面的条件(1)和条件(2)两者:
(1)在400nm至700nm的波长下,所述用于OLED面板的下部保护膜的反射率为12%至16%;以及
(2)在400nm至700nm的波长下,所述衬垫膜与所述基体载体膜之间的反射率比值为1:0.62至1:2.6。
3.根据权利要求1所述的用于OLED面板的下部保护膜,其中,在400nm至700nm的波长下,所述用于OLED面板的下部保护膜满足下面的条件(3):
(3)
其中,a表示所述衬垫膜的反射率偏差(%),b表示所述基体载体膜的反射率偏差(%),并且c表示所述用于OLED面板的下部保护膜的反射率偏差(%)。
4.根据权利要求1所述的用于OLED面板的下部保护膜,其中,所述用于OLED面板的下部保护膜的反射率随着波长增大而逐渐减小。
5.根据权利要求1所述的用于OLED面板的下部保护膜,其中,所述第一基体材料和所述第二基体材料为PET基体材料,并且
所述第一粘合层和所述第二粘合层为丙烯酸粘合层。
6.根据权利要求1所述的用于OLED面板的下部保护膜,其中,所述衬垫膜的下表面是硅释放处理的。
7.根据权利要求1所述的用于OLED面板的下部保护膜,其中,所述衬垫膜满足下面的条件(4)和条件(5)两者:
(4)在520nm的波长下的反射率在440nm的波长下的反射率;以及
(5)在520nm的波长下的反射率在690nm的波长下的反射率。
8.根据权利要求1所述的用于OLED面板的下部保护膜,其中,所述衬垫膜在400nm至700nm的波长下的反射率为5%至13%。
9.根据权利要求1所述的用于OLED面板的下部保护膜,其中,所述基体载体膜在400nm至700nm的波长下的反射率为8%至13%。
10.根据权利要求1所述的用于OLED面板的下部保护膜,其中,所述第一粘合层和所述第二粘合层包括抗静电剂,并且
所述衬垫膜、所述第一基体材料和所述第二基体材料中的每个的至少一个表面是抗静电处理的。
11.根据权利要求1所述的用于OLED面板的下部保护膜,其中,所述基体膜具有85%至98%的透射率和0.2%至1.0%的雾度。
12.根据权利要求1所述的用于OLED面板的下部保护膜,其中,所述用于OLED面板的下部保护膜具有5%至10%的总雾度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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H01L51-54 .. 材料选择