[发明专利]热处理装置、热处理方法和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种热处理装置，其特征在于，具备：

激光振荡部，振荡出激光；

工件台，保持被所述激光照射的照射对象物；

光学系统，将从所述激光振荡部振荡出的所述激光引导至所述照射对象物；

移动部，使所述光学系统与所述照射对象物的位置关系相对地变化；

检测部，检测所述激光在所述照射对象物的表面被反射后的第一反射光的功率；以及

判定部，基于由所述检测部检测出的所述第一反射光的功率的检测值，判定在所述照射对象物中被所述激光照射的区域的表面温度有无变化。

2.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，

所述判定部基于由所述检测部检测出的所述第一反射光的功率的检测值和相关数据，计算在所述照射对象物中被所述激光照射的区域的表面温度，其中该相关数据示出所述照射对象物的表面温度与所述激光在所述照射对象物的表面的反射率的相关关系。

3.根据权利要求2所述的热处理装置，其特征在于，

在所述工件台具备反射镜，

所述检测部检测所述激光在所述反射镜的表面被反射后的第二反射光的功率，

所述判定部基于由所述检测部检测出的所述第二反射光的功率的检测值、所述激光在所述反射镜的表面的反射率、由所述检测部检测出的所述第一反射光的功率的检测值和所述相关数据，计算在所述照射对象物中被所述激光照射的区域的表面温度。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的热处理装置，其特征在于，

具备控制部，该控制部基于由所述检测部检测出的所述第一反射光的功率的检测值，控制从所述激光振荡部振荡出的所述激光的输出。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的热处理装置，其特征在于，

具备衰减滤波器，该衰减滤波器使入射于所述检测部的激光的光强度衰减。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的热处理装置，其特征在于，

所述检测部使用所述激光在所述照射对象物的表面被漫反射后的漫反射光来检测所述第一反射光的功率。

7.一种热处理方法，其特征在于，包括：

照射工序，对要被激光照射的照射对象物照射激光；

检测工序，检测所述激光在所述照射对象物的表面被反射后的第一反射光的功率；以及

判定工序，基于检测出的所述第一反射光的功率的检测值，判定在所述照射对象物中被所述激光照射的区域的表面温度有无变化。

8.根据权利要求7所述的热处理方法，其特征在于，

在所述判定工序中，基于在所述检测工序中检测出的所述第一反射光的功率的检测值和相关数据，计算在所述照射对象物中被所述激光照射的区域的表面温度，其中该相关数据示出所述照射对象物的表面温度与所述激光在所述照射对象物的表面的反射率的相关关系。

9.根据权利要求8所述的热处理方法，其特征在于，

在所述检测工序中，检测所述激光在反射镜的表面被反射后的第二反射光的功率，其中该反射镜设置于保持所述照射对象物的工件台，

在所述判定工序中，基于在所述检测工序中检测出的所述第二反射光的功率的检测值、所述激光在所述反射镜的表面的反射率、在所述检测工序中检测出的所述第一反射光的功率的检测值和所述相关数据，计算在所述照射对象物中被所述激光照射的区域的表面温度。

10.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

注入工序，对半导体基板注入杂质；

照射工序，对注入有所述杂质的所述半导体基板照射激光；

检测工序，检测所述激光在所述半导体基板的表面被反射后的第一反射光的功率；以及

判定工序，基于检测出的所述第一反射光的功率的检测值，判定在所述半导体基板中被所述激光照射的区域的表面温度有无变化。