[发明专利]用于对衬底进行调温的设备和相对应的制造方法有效
申请号: | 201880007125.3 | 申请日: | 2018-01-15 |
公开(公告)号: | CN110214367B | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 克莱门斯·赖廷格 | 申请(专利权)人: | ERS电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G01R1/04 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 张敬强;杜嘉璐 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 衬底 进行 调温 设备 相对 制造 方法 | ||
本发明提供了一种用于对衬底进行调温的设备和一种相对应的制造方法。该设备配备有:板状的主体(1;1a、1b),所述板状的主体具有衬底支承面(SF);用于借助于第一调温流体对主体进行调温的第一调温装置,所述第一调温装置具有在主体(1;1a、1b)的内部的多个分开的第一环形通道(R1F‑R4F),用于使所述第一调温流体循环;用于借助于第二调温流体对主体进行调温的第二调温装置,所述第二调温装置具有在主体(1;1a、1b)的内部的多个分开的第二环形通道(R1L‑R5L),用于使所述第二调温流体循环,其中所述第一调温流体能通过第一管道(K1F)被输送给多个第一环形通道(R1F‑R4F)并且能通过第二管道(K2F)从中排出,其中所述第二调温流体能通过第三管道(K1L)被输送给多个第二环形通道(R1L‑R5L)并且能通过第四管道(K2L)从中排出,其中主体(1;1a、1b)具有第一至第四孔(B1F、B2F、B1L、B2L),所述第一至第四孔分别与多个第一环形通道(R1F‑R4F)和多个第二环形通道(R1L‑R5L)相连,其中第一至第四管道(K1F;K2F;K1L;K2L)被插到主体(1;1a;1b)的第一至第四孔(B1F;B2F;B1L;B2L)中。
本发明涉及一种用于对衬底、尤其是晶片衬底进行调温的设备和一种相对应的制造方法。
不仅不限于此,本发明及其所基于的问题依据晶片层上的集成电路来探讨。
在制造集成电路时的生产过程中,在还未被分割的晶片上进行晶片测试,以便可以及早地识别并且挑出有缺陷的集成电路。为此,将所要测试的晶片插到晶片探针中并且借助于处在其中的可调温的夹盘(用于对晶片衬底进行调温的设备)来达到所希望的测试温度。如果晶片处在所希望的测试温度,则借助于处在探针头上的接触探针装置,建立与所要测试的集成电路的接触面的电连接。具有接触探针的探针头安装在所谓的探针卡上,该探针卡通过探针头的接触探针形成测试系统与晶片之间的接口。
晶片测试通常在-40℃与200℃之间的温度范围内被执行,在特殊情况下甚至在高于或低于零点的还极端的温度下被执行。
传统的用于对衬底、尤其是晶片衬底进行调温的设备配备有封闭的冷却循环,其中冷却液经由衬底紧固设备中的通道循环到热交换器并且又循环回到衬底紧固设备。
EP 1 943 665B1公开了一种用对衬底、尤其是晶片进行调温的设备,其中该设备具有通过第一调温装置和第二调温装置来调温的主体,其中第一调温装置被配置用于在第一温度与第二温度之间的第一温度范围内对主体进行调温,其中第一温度低于第二温度,而且第一调温装置借助于第一调温流体来调温,而第二调温装置被配置用于在第三温度与第四温度之间的第二温度范围内对主体进行调温,其中第三温度低于第四温度,而且第二调温装置借助于第二调温流体来调温,其中第二温度低于第四温度而且第一调温流体不同于第二调温流体。该主体具有基本上平坦的支承面,该支承面具有用于固定衬底的固定装置,该固定装置具有多个抽吸槽,其中在位于其上的衬底的内部设置用于第一调温流体的一个或多个第一调温介质通道,而且其中用于对主体进行调温的第二调温装置包括调温体,该调温体在其内部具有用于第二调温流体的一个或多个第二调温介质通道。
在该已知的用于对衬底进行调温的设备方面已经被证明为不利的是:该设备由于调温装置交叠而体积大而且下方的调温装置布置得离衬底远。
因而,本发明的任务是:提供一种用于对衬底进行调温的能更紧凑地来构建的设备和一种相对应的制造方法。
为了解决该任务,本发明提供了一种用于对衬底进行调温的设备和一种相对应的制造方法。
本发明所基于的思想在于:将两个不同的调温装置节省空间地并且能简单地连接地嵌入到主体中。在按照本发明的用于对衬底进行调温的设备中,尤其可以将调温装置距衬底的相应的距离调整得差不多相同。
按照另一优选的扩展方案,主体具有板状的下部和板状的上部,所述板状的下部和板状的上部在连接区内彼此连接,尤其是焊接或粘贴。这简化了该制造方法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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