[发明专利]墨液组合物有效
申请号: | 201880007071.0 | 申请日: | 2018-01-18 |
公开(公告)号: | CN110268540B | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 远藤岁幸;前田大辅 | 申请(专利权)人: | 日产化学株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56;C08K3/10;C08K5/42;C08K5/51;C08L65/00;C09D11/03 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;洪欣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 组合 | ||
1.一种墨液组合物,包含:
(a)聚噻吩化合物;
(b)一种以上的金属氧化物纳米粒子;
(c)一种以上的掺杂剂;
(d)含有一种以上的有机溶剂的液体载体;以及
(e)一种以上的胺化合物;
所述聚噻吩化合物(a)包含下列式(I)所示的重复单元,
式(I)中,R1及R2分别独立为H、烷基、氟烷基、烷氧基、氟烷氧基、芳氧基、-SO3M或-O-[Z-O]p-Re;或者R1及R2一起形成-O-Z-O-,在此,M为H、碱金属、铵、单烷基铵、二烷基铵或三烷基铵,Z为任选被卤素或Y所取代的亚烃基,其中,Y为碳原子数1~10的直链或支链的烷基或烷氧基烷基,该烷基或烷氧基烷基的任意位置可以被磺酸基所取代,
p为1以上的整数,并且
Re为H、烷基、氟烷基或芳基;
所述掺杂剂物质包含选自由芳基磺酸化合物、杂多酸化合物、含属于长式周期表的IIIA族或VA族的元素的离子化合物所构成的组中的至少一种;
所述金属氧化物纳米粒子是:硼、硅、锗、砷、碲、钛、铝、锆、铌、钽及钨的氧化物或者包含它们的混合氧化物的纳米粒子;
所述金属氧化物纳米粒子的一次粒子的平均粒径为500nm以下,
相对于所述金属氧化物纳米粒子与掺杂或未掺杂的聚噻吩的总重量,所述金属氧化物纳米粒子的量为1重量%~98重量%;
所述液体载体包含:一种以上的二醇系溶剂(A),以及一种以上的除了二醇系溶剂以外的有机溶剂(B);
相对于所述墨液组合物的总量,所述墨液组合物中的总固体成分为0.1重量%~50重量%;
所述胺化合物包含乙醇胺类或烷基胺类;
相对于所述墨液组合物的总量,所述胺化合物的量为0.01重量%~2.00重量%。
2.如权利要求1所述的墨液组合物,其中,所述掺杂剂物质为下列式(2)所示的芳基磺酸化合物,
式(2)中,X表示O、S或NH,A表示任选具有除了X和n个(SO3H)基之外的取代基的萘环或蒽环,B表示未取代或取代的烃基、1,3,5-三嗪基、或者未取代或取代的下列式(3)或(4)所示的基团,
式(3)或(4)中,W1表示单键、O、S、S(O)基、S(O2)基、或者未取代或取代基所键合的N、Si、P、P(O)基,W2表示O、S、S(O)基、S(O2)基、或者未取代或取代基所键合的N、Si、P、P(O)基,R46~R59分别独立地表示氢原子或卤素原子,
n表示与A键合的磺酸基的数量且是满足1≤n≤4的整数,q表示B与X之间的键的数量且是满足1≤q的整数。
3.如权利要求1所述的墨液组合物,其中,所述掺杂剂物质为下列式(6)所示的芳基磺酸化合物,
式(6)中,X表示O、S或NH,Ar5表示芳基,n表示磺酸基的数量且是满足1~4的整数。
4.如权利要求1所述的墨液组合物,其中,所述掺杂剂物质为杂多酸化合物。
5.如权利要求1所述的墨液组合物,其中,
R1及R2分别独立为H、氟烷基、-O[C(RaRb)-C(RcRd)-O]p-Re、-ORf;其中,各自的Ra、Rb、Rc及Rd分别独立为H、卤素、烷基、氟烷基或芳基;Re为H、烷基、氟烷基或芳基;p为1、2或3;并且,Rf为烷基、氟烷基或芳基。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日产化学株式会社,未经日产化学株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880007071.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:有机电子材料、有机电子元件及有机电致发光元件
- 下一篇:电荷传输性清漆
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择