[发明专利]有源矩阵基板、液晶显示面板及液晶显示面板的制造方法

权利要求书

1.一种有源矩阵基板，具备：

基板；

多个薄膜晶体管，其支撑于上述基板；以及

无机绝缘层，其覆盖上述多个薄膜晶体管，

上述有源矩阵基板的特征在于，

上述多个薄膜晶体管各自具有：

栅极电极，其设置于上述基板上；

栅极绝缘层，其覆盖上述栅极电极；

氧化物半导体层，其设置于上述栅极绝缘层上，隔着上述栅极绝缘层与上述栅极电极相对；以及

源极电极及漏极电极，其电连接到上述氧化物半导体层，

上述栅极绝缘层包含第1氮化硅层和设置于上述第1氮化硅层上的第1氧化硅层，

上述无机绝缘层包含第2氧化硅层和设置于上述第2氧化硅层上的第2氮化硅层，

上述第1氮化硅层的厚度是275nm以上400nm以下，

上述第1氧化硅层的厚度是20nm以上80nm以下，

上述第2氧化硅层的厚度是200nm以上300nm以下，

上述第2氮化硅层的厚度是100nm以上200nm以下。

2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，

上述氧化物半导体层包含In-Ga-Zn-O系半导体。

3.根据权利要求2所述的有源矩阵基板，

上述In-Ga-Zn-O系半导体包含结晶质部分。

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的有源矩阵基板，

具备包含结晶质硅半导体层作为活性层的另外的薄膜晶体管。

5.根据权利要求4所述的有源矩阵基板，

上述另外的薄膜晶体管包含：

上述结晶质硅半导体层，其设置于上述基板上；

另外的栅极绝缘层，其覆盖上述结晶质硅半导体层；

另外的栅极电极，其设置于上述另外的栅极绝缘层上，隔着上述另外的栅极绝缘层与上述结晶质硅半导体层相对；以及

另外的源极电极及漏极电极，其电连接到上述结晶质硅半导体层。

6.根据权利要求5所述的有源矩阵基板，

上述另外的栅极电极被上述栅极绝缘层覆盖，

上述另外的栅极绝缘层包含第3氮化硅层，

上述栅极绝缘层的上述第1氮化硅层的厚度与上述另外的栅极绝缘层的上述第3氮化硅层的厚度的总计是275nm以上400nm以下。

7.一种液晶显示面板，其特征在于，具备：

权利要求1至6中的任意一项所述的有源矩阵基板；

相对基板，其与上述有源矩阵基板相对；以及

液晶层，其设置于上述有源矩阵基板和上述相对基板之间。