[发明专利]用于保护电气设备的装置在审
| 申请号： | 201880006215.0 | 申请日： | 2018-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN110235327A | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | D·图尼耶;M·贝尔图;G·皮干 | 申请（专利权）人： | 卡利技术公司 |
| 主分类号： | H02H9/02 | 分类号： | H02H9/02 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 支路 限流 导电支路 工作模式 电流通过 电气设备 阻抗 并联安装 电流源 | ||
1.一种用于保护电气设备(23)的保护装置，其包括：
-输入端子(31)，其用于电连接到电源(25)，
-输出端子(32)，其用于电连接到电气设备(23)，
其特征在于，所述保护装置包括：
-第一限流支路(21)，其包括在给定电压范围内产生恒定电流的电流源，
-第二导电支路(22)，其与限流支路(21)并联安装，
-控制单元(24)，其用于在以下工作模式之间对装置的工作模式进行切换：
·第一工作模式，其中，源自电源(25)的电流流过限流支路(21)而不流入导电支路(22)，以及
·第二工作模式，其中，源自电源(25)的电流流过限流支路(21)和导电支路(22)，在所述第二工作模式中，导电支路(22)的阻抗小于或等于限流支路(21)的阻抗的10％。
2.根据权利要求1所述的保护装置，其中，所述控制单元(24)电连接到所述导电支路(22)，以便监测所述导电支路(22)的启用和停用，从而在第一工作模式和第二工作模式之间对装置进行切换，限流支路(21)不受控制单元(24)监测。
3.根据权利要求1或2中任一项所述的保护装置，其中，所述电流源包括晶体管，例如JFET晶体管或MOSFET晶体管：
-晶体管的漏极连接到输入端子(31)，并且
-晶体管的栅极和源极连接到输出端子(32)。
4.根据权利要求1或2中任一项所述的保护装置，其中，所述电流源包括例如由硅或碳化硅、或任何其它半导体材料制成的限流二极管。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的保护装置，其中，所述限流支路(21)还包括与电流源串联安装的电阻器。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的保护装置，其中，所述导电支路(22)包括晶体管，例如JFET晶体管或MOSFET晶体管：
-晶体管的漏极连接到输入端子(31)，
-晶体管的源极连接到输出端子(32)，
-晶体管的栅极连接到控制单元(24)。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的保护装置，其中，所述控制单元(24)包括：
-用于检测电气设备保护装置的输出端的电压变化的电路(242)，和/或
-用于检测电气设备保护装置的输出端的电流变化的电路。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的保护装置，其中，所述控制单元(24)包括自偏置电路(241)，以使导电支路(22)的启用延迟。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的保护装置，其中，所述控制单元(24)包括控制电路(243)，所述控制电路(243)用于在保护装置的输出端的电压和/或强度大于阈值时，生成用于阻断导电支路(22)的信号。
10.根据前述权利要求中任一项所述的保护装置，其中，所述限流支路(21)和导电支路(22)集成到诸如JFET晶体管或MOSFET晶体管的单片组件中。
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