[发明专利]包含氧化锆晶体的生产玻璃的设备和方法在审

专利信息
申请号: 201880005844.1 申请日: 2018-01-03
公开(公告)号: CN110382424A 公开(公告)日: 2019-10-25
发明(设计)人: D·C·布克班德;T·M·格罗斯;J·J·麦金托什 申请(专利权)人: 康宁股份有限公司
主分类号: C03B5/167 分类号: C03B5/167;C03B5/43;C03B17/06;C04B35/486
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 张璐;项丹
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 氧化锆晶体 玻璃制品 制造 生产玻璃
【权利要求书】:

1.一种用于生产玻璃制品的设备,所述设备包括表面,当玻璃处于熔融状态时,该表面适于接触玻璃,所述表面构成所述设备的至少一部分,其由氧化锆晶体制成,其具有小于5面积%的玻璃相并且具有至少1cm×1cm的尺寸。

2.如权利要求1所述的设备,其中,氧化锆晶体是单晶或多晶。

3.如权利要求1所述的设备,其中,氧化锆晶体是立方结构、四方结构或单斜结构中的至少一种。

4.如权利要求1所述的设备,其中,氧化锆晶体是立方结构。

5.如权利要求1所述的设备,其中,氧化锆晶体是单晶并且是立方结构。

6.如权利要求1所述的设备,其中,氧化锆晶体包含大于或等于1重量%的以下中的至少一种:CaO、MgO、Ce2O3或Y2O3

7.如权利要求1所述的设备,其中,氧化锆晶体包含大于或等于1重量%且小于或等于40重量%的以下中的至少一种:CaO、MgO、Ce2O3或Y2O3

8.如权利要求1-7所述的设备,其中,所述晶体不含空隙和缺陷。

9.如权利要求1-7所述的设备,其中,所述晶体的孔隙率≤20体积%。

10.如权利要求1-7所述的设备,其中,所述晶体的孔隙率≤10体积%。

11.如权利要求1-7所述的设备,其中,所述晶体的孔隙率≤5体积%。

12.如权利要求1-7所述的设备,其中,所述晶体的孔隙率≤1体积%。

13.如权利要求1-7所述的设备,其中,所述晶体的孔隙率≤0.5体积%。

14.如权利要求9-13所述的设备,其中,所述孔隙率包括开孔孔隙率。

15.如权利要求1-7所述的设备,其中,氧化锆晶体包含选自Li、Na和K的碱金属,并且每种碱金属≤0.001重量%。

16.如权利要求15所述的设备,其中,氧化锆晶体包含选自Li、Na和K的碱金属,并且每种碱金属≤0.0001重量%。

17.如权利要求15所述的设备,其中,氧化锆晶体包含选自Li、Na和K的碱金属,并且碱金属总计≤0.001重量%。

18.如权利要求17所述的设备,其中,氧化锆晶体包含选自Li、Na和K的碱金属,并且碱金属总计≤0.0001重量%。

19.如权利要求1-18中任一项所述的设备,其中,所述表面是玻璃熔化容器的一部分。

20.如权利要求1-18中任一项所述的设备,其中,所述表面是澄清容器的一部分。

21.如权利要求1-18中任一项所述的设备,其中,所述表面是输送容器的一部分。

22.如权利要求1-18中任一项所述的设备,其中,所述表面是等压槽的一部分。

23.如权利要求1-18中任一项所述的设备,其中,所述表面是炉横壁、炉喉、出口块、后壁块和玻璃熔化槽的一部分。

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