[发明专利]垂直腔表面发射激光器

权利要求书

1.一种垂直腔表面发射激光器，包括：

-第一反射器，

-第二反射器，所述第二反射器包括半导体或隔离层的层堆叠，

-有源区，所述有源区被布置在所述第一反射器与所述第二反射器之间；以及

-在光输出侧的所述层堆叠的顶部上的附加层，所述附加层形成所述激光器的输出界面，

-其中所述附加层的折射率小于所述层堆叠的折射率中的最小折射率，

其中选择所述附加层的厚度，使得设计参数H(f_R)在2.5与3.2dB之间的范围中，并且

其中所述设计参数H(f_R)是通过以下来确定的：

-通过所述激光器施加产生预定偏置电流和小正弦电流信号的电压，

-对给定频率范围内的所述小正弦电流信号的频率进行扫描，

-测量在所述输出界面处离开所述激光器的辐射的小信号响应，

-将测量的所述小信号响应拟合到下面的传输函数H(f)：

并且确定参数f_R、γ、A以及f_p,

其中f_R描述弛豫共振频率，γ是阻尼参数，A是偏移量，并且f_P是激光器的寄生效应的3dB频率，并且

-通过基于如上所述确定的所述参数计算所述传输函数H(f)在所述弛豫共振频率f_R处的值，来计算所述设计参数H(f_R)。

2.根据权利要求1所述的激光器，其中

所述附加层的所述折射率比所述层堆叠的所述折射率中的最小折射率小至少25％。

3.根据在前权利要求中的任何一项所述的激光器，其中

在所述层堆叠的高掺杂层的至少一部分上布置电接触，所述高掺杂层的掺杂浓度超过5*10¹⁸cm^-3。

4.根据权利要求3所述的激光器，其中

所述附加层部分地覆盖所述电接触。

5.根据权利要求1所述的激光器，其中

所述附加层是隔离层。

6.根据权利要求1所述的激光器，其中

所述附加层是氮化硅层或氧化硅层或氧化钛层。

7.根据权利要求1所述的激光器，其中

所述附加层是导电层。

8.根据权利要求1所述的激光器，其中

所述附加层是氧化铟锡或者GaAs层。

9.根据权利要求1所述的激光器，其中

所述附加层的厚度在(0.02*λ与0.24*λ)+n*0.5*λ之间或者在(0.26*λ与0.48*λ)+n*0.5*λ之间，其中n是整数。