[发明专利]氧化物溅射靶及氧化物溅射靶的制造方法在审
| 申请号： | 201880004813.4 | 申请日： | 2018-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN110352263A | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 野中荘平;森理恵;长尾昌芳 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;G11B7/26 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁兴利;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射靶 氧化物 氧化物组成 靶面 金属 制造 | ||
【权利要求书】：
1.一种氧化物溅射靶，其由作为金属成分含有锆、硅及铟的氧化物组成，所述氧化物溅射靶的特征在于，
靶面内的氧浓度的最大值与最小值之差相对于所述氧浓度的最大值与最小值的合计的比率为15％以下。
2.根据权利要求1所述的氧化物溅射靶，其特征在于，
靶面内的电阻率的最大值与最小值之差相对于所述电阻率的最大值与最小值的合计的比率为15％以下。
3.一种氧化物溅射靶的制造方法，其特征在于，为用于制造权利要求1或2所述的氧化物溅射靶的方法，所述方法具备以下工序：
混合氧化锆粉末、二氧化硅粉末、氧化铟粉末而获得比表面积为11.5m2/g以上且13.5m2/g以下的混合粉末；
将所述混合粉末成型而获得成型体；
一边使氧在烧成装置内流通，一边将所述成型体以1300℃以上且1600℃以下的温度进行烧成而生成烧结体；及
一边使氧在所述烧成装置内流通，一边以200℃/小时以下的冷却速度将所述烧结体冷却至至少成为600℃以下的温度。
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