[发明专利]III-V族量子点及其制备方法

权利要求书

1.一种III-V族量子点的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

加热II族元素前体和III族元素前体的混合液；所述II族元素前体和所述III族元素前体的混合液被加热至50-200 ℃；

加入V族元素前体到所述混合液中，加热形成包括III-V族量子点核的第一溶液；所述III-V族量子点核的直径小于等于20nm；

加入VI族元素前体到所述第一溶液中形成III-V/II-VI族核壳量子点；

所述包括III-V族量子点核的第一溶液在加入所述VI族元素前体之前或之后被加热至230-320 ℃；

纯化所述III-V/II-VI族核壳量子点；所述III-V/II-VI族核壳量子点为具有ZnSe薄壳的InP量子点；

将纯化得到的所述III-V/II-VI族核壳量子点分散至第二溶液中；

加入活化剂和II族元素前体至所述第二溶液中；所述活化剂选自脂肪酸、二酮的一种或多种；

加热所述第二溶液；所述第二溶液被加热至240-320℃；

加入VI族元素前体至已加热的所述第二溶液中，从而在所述ZnSe薄壳上形成1到2个单分子层的ZnSe壳；

至少重复一次以下顺序的步骤从而形成ZnSe厚壳：加入活化剂和II族元素前体至所述第二溶液中；加热所述第二溶液；加入所述VI元素前体至已加热的所述第二溶液中；

所述薄壳是少于等于4个单分子层的壳材料，所述厚壳是超过4个单分子层的壳材料；

纯化具有所述ZnSe薄壳和厚壳的量子点，继续在所述ZnSe厚壳上包覆ZnS壳层，形成III-V/II-VI/II-VI族核/壳/壳量子点，所述III-V/II-VI/II-VI族核/壳/壳量子点为InP/ZnSe/ZnS。

2.根据权利要求1所述的III-V族量子点的制备方法，其特征在于，纯化所述III-V/II-VI族核壳量子点包括以下步骤：

加入己烷、甲苯中的任意一种或两种，甲醇、乙醇中的任意一种或两种，和脂肪胺到所述III-V/II-VI族核壳量子点的溶液中并混合；

静置并分离出下层的甲醇或乙醇相；

加入丙酮到所述己烷和/或甲苯相中，所述III-V/II-VI族核壳量子点从中沉淀出来，收集纯化得到的所述III-V/II-VI族核壳量子点；

可选择地，向所述己烷和/或甲苯相中加入丙酮后离心得到所述III-V/II-VI族核壳量子点。

3.根据权利要求2所述的III-V族量子点的制备方法，其特征在于，所述纯化进行四次。

4.根据权利要求1所述的III-V族量子点的制备方法，其特征在于，所述第二溶液中加入的所述活化剂的摩尔浓度是所述III-V/II-VI族核壳量子点浓度的100-1000倍。