[发明专利]磁壁移动型磁记录元件及磁记录阵列

说明书

一种磁壁移动型磁记录元件，其中，具备：第一铁磁性层，其包含铁磁性体；磁记录层，其沿与所述第一铁磁性层的层叠方向交叉的第一方向延伸，并且包含磁壁；非磁性层，其夹持于所述第一铁磁性层和所述磁记录层之间，所述第一铁磁性层在所述第一方向的至少第一端部具有磁通供给区域。

技术领域

本发明涉及磁壁移动型磁记录元件及磁记录阵列。

背景技术

作为代替能够微细地观察界限的闪存存储器等下一代的非易失性存储器，利用变阻型元件来存储数据的变阻型的磁记录装置备受关注。作为磁记录装置的一例，具有MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)、ReRAM(Resistance Randome AccessMemory)、PCRAM(Phase Change Random Access Memory)等。另外，已经尝试使用这种变阻元件实现模仿人脑的组织的装置(仿神经装置)(非专利文献1)。

作为存储器的高密度化(大容量化)的方法，有减小构成存储器的元件本身的方法。除此之外，有将构成存储器的每一个元件的记录位进行多值化的方法。另外，作为利用变阻元件的仿神经装置，有通过利用变阻元件的电阻值连续地变化，并构成列阵，从而进行模拟的积和运算。

专利文献1中记载有通过控制磁记录层内的磁壁的位置，能够记录多值的数据的磁壁移动型磁记录元件。专利文献2中记载有根据磁记录层内的磁壁的位置，利用电阻值连续地变化的、磁壁利用型模拟存储器元件及利用其的磁神经元元件。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2009/050287号

专利文献2：国际公开第2017/183573号

非专利文献

非专利文献1：Zhe Chen et al,IEEE,2015,p.17.7.1-p17.7.4.

发明内容

发明所要解决的课题

在磁壁移动型记录元件中，在磁壁在不能期待电阻变化的区域移动的情况下，相对于输入产生元件未响应的不敏感状态。因此，要求将磁壁的移动范围根据磁壁位置限定于电阻变化的范围，在不能期待电阻变化的区域导入磁壁不移动的组织，使变阻元件的动作稳定。

专利文献1所述的磁壁移动型磁记录元件中，在磁记录层的侧面设置有凹凸。凹凸作为磁壁的阱侧起作用，控制磁壁可移动的范围。但是，有时在磁记录层中设置物理的凹凸和凹部产生电流集中。电流集中成为发热的原因，使元件的动作不稳定，降低数据的可靠性。

本发明是鉴于上述问题而开发的，其目的在于，提供一种能够将磁壁的移动稳定地控制在规定的范围内的磁壁移动型磁记录元件及磁记录阵列。

用于解决课题的技术方案

(1)第一方式提供一种磁壁移动型磁记录元件，具备：第一铁磁性层，其包含铁磁性体；磁记录层，其沿与所述第一铁磁性层的层叠方向交叉的第一方向延伸，并且包含磁壁；非磁性层，其夹持于所述第一铁磁性层和所述磁记录层之间，所述第一铁磁性层在所述第一方向的至少第一端部具有磁通供给区域。

(2)也可以是，在上述方式的磁壁移动型磁记录元件中，所述第一铁磁性层在所述第一端部及与所述第一端部相反侧的第二端部具有磁通供给区域。

(3)也可以是，上述方式的磁壁移动型磁记录元件中的所述磁通供给区域包含与位于所述第一铁磁性层的所述第一方向的中央的主要区域不同的材料。