[发明专利]垂直存储器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

栅极层和绝缘层，所述栅极层和所述绝缘层沿垂直于所述半导体器件的衬底的第一方向交替地堆叠在所述衬底上的第一区域中，其中，所述栅极层和所述绝缘层在所述衬底上的第二区域中以台阶形式堆叠；

沟道结构，所述沟道结构设置在所述第一区域中并沿所述第一方向延伸，其中，所述沟道结构穿过所述栅极层和所述绝缘层，并且所述沟道结构和所述栅极层以串联配置形成晶体管叠层，其中，所述栅极层是所述晶体管的栅极；

触点结构，所述触点结构设置在所述第二区域中，以与所述栅极层之一形成导电连接；

第一虚设沟道结构，所述第一虚设沟道结构设置在所述第二区域中并围绕所述触点结构，所述第一虚设沟道结构满足最大维持距离要求以确保对所述第二区域提供足够的支撑以免塌陷并且被图案化为具有与所述沟道结构的第二形状不同的第一形状；

多个虚设沟道结构，所述多个虚设沟道结构相对于所述触点结构以非对称配置的方式围绕所述触点结构设置，所述多个虚设沟道结构之间的最大距离短于第一限制；以及

栅缝隙，所述栅缝隙在所述栅极层和所述绝缘层的叠层中延伸，所述栅缝隙与所述第一虚设沟道结构之间的最大距离短于第二限制。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述沟道结构在所述半导体器件的水平横截面处具有圆形形状；并且

所述第一虚设沟道结构在所述水平横截面处具有非圆形形状。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中：

所述第一虚设沟道结构具有所述非圆形形状，所述非圆形形状能够通过限定所述非圆形形状的两个或更多个参数来进行调整。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中：

所述第一虚设沟道结构具有胶囊形状、矩形形状和圆弧形状中的至少一种形状。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二虚设沟道结构，所述第二虚设沟道结构被设置为相对于所述触点结构与所述第一虚设沟道结构对称。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一虚设沟道结构由与所述沟道结构相同的材料形成。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一虚设沟道结构由二氧化硅形成。

8.一种用于版图设计的方法，包括：

对蚀刻工艺进行表征，所述蚀刻工艺用于在半导体器件的衬底上的交替的牺牲层和绝缘层的叠层中蚀刻沟道孔和虚设沟道孔，所述沟道孔位于核心区域中，并且所述虚设沟道孔位于台阶区域中，交替的牺牲栅极层和绝缘层的叠层从所述核心区域延伸到台阶形式的所述台阶区域中，并且所述虚设沟道孔满足最大维持距离要求以确保对所述台阶区域提供足够的支撑以免塌陷，其中，多个实例对应于所述虚设沟道孔而被设置并且相对于所述台阶区域中的触点非对称配置，所述多个实例之间的最大距离短于第一限制；

基于对所述蚀刻工艺的表征确定用于在版图中限定所述虚设沟道孔的第一形状，所述第一形状不同于用于限定所述沟道孔的第二形状；

生成所述半导体器件的所述版图，所述版图在所述版图的对应于所述台阶区域的第一区域中具有所述第一形状的第一实例；以及

在所述版图中生成用于限定所述半导体器件中的栅缝隙的图案，所述图案与所述第一实例之间的最大距离短于第二限制。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：

在所述版图的对应于所述核心区域的第二区域中具有所述第二形状的第二实例。

10.根据权利要求8所述的方法，还包括：

确定所述虚设沟道孔的非圆形形状，其与所述沟道孔的圆形形状不同。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

基于对所述蚀刻工艺的表征调整限定所述非圆形形状的两个或更多个参数。