[发明专利]超低温制冷机及磁屏蔽件有效

专利信息
申请号: 201880001941.3 申请日: 2018-03-27
公开(公告)号: CN110446897B 公开(公告)日: 2020-11-20
发明(设计)人: 松村阳介;森江孝明;吉田润 申请(专利权)人: 住友重机械工业株式会社
主分类号: F25B9/00 分类号: F25B9/00;F25B9/14;H05K9/00
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 超低温 制冷机 屏蔽
【权利要求书】:

1.一种超低温制冷机,其特征在于,具备:

冷却台;

气缸,在其末端具备所述冷却台;

置换器,其以能够在所述气缸内往复移动的方式容纳于所述气缸内,并且具备磁性蓄冷材料;及

筒状磁屏蔽件,其设置于所述冷却台,并且所述筒状磁屏蔽件在所述气缸的外侧沿着所述气缸延伸,

所述筒状磁屏蔽件由常导体形成,且其在10K以下的温度区域中的电导率与所述筒状磁屏蔽件的壁厚的乘积为89MS以上且1980MS以下。

2.根据权利要求1所述的超低温制冷机,其特征在于,

所述筒状磁屏蔽件在10K以下的温度区域中的电导率与所述筒状磁屏蔽件的壁厚的乘积为1000MS以下。

3.根据权利要求1所述的超低温制冷机,其特征在于,

所述筒状磁屏蔽件遍及基于所述置换器的往复移动而移动的所述磁性蓄冷材料的整个移动范围而延伸。

4.根据权利要求3所述的超低温制冷机,其特征在于,

所述筒状磁屏蔽件比所述置换器位于上止点时的所述磁性蓄冷材料的上表面更向周向上的上方延伸,

在将自所述置换器位于上止点时的所述磁性蓄冷材料的上表面的所述筒状磁屏蔽件的轴向上的余长表示为LS u、且将从所述置换器位于上止点时的所述磁性蓄冷材料的上表面至所述筒状磁屏蔽件为止的径向上的距离表示为Gu时,所述筒状磁屏蔽件满足LSu≥Gu。

5.根据权利要求1所述的超低温制冷机,其特征在于,

所述筒状磁屏蔽件由纯铜或纯铝制成。

6.根据权利要求1所述的超低温制冷机,其特征在于,

所述筒状磁屏蔽件钎焊接合于所述冷却台。

7.根据权利要求1所述的超低温制冷机,其特征在于,

所述筒状磁屏蔽件与所述冷却台形成为一体。

8.根据权利要求1所述的超低温制冷机,其特征在于,

还具备一级冷却台及二级冷却台,

所述筒状磁屏蔽件直接设置于所述二级冷却台,所述筒状磁屏蔽件的内径小于所述一级冷却台的外径。

9.根据权利要求1所述的超低温制冷机,其特征在于,

所述置换器具备在轴向上配置于彼此不同的位置上的第1磁性蓄冷材料及第2磁性蓄冷材料,

所述筒状磁屏蔽件具备:第1屏蔽部分,包围所述第1磁性蓄冷材料;及第2屏蔽部分,包围所述第2磁性蓄冷材料,

所述第1磁性蓄冷材料及所述第2磁性蓄冷材料分别被外部磁场磁化,从而产生所述第1磁性蓄冷材料的第1磁化量Mmax及所述第2磁性蓄冷材料的第2磁化量M2,并且所述第1磁化量Mmax大于所述第2磁化量M2

在将所述第1屏蔽部分的所述电导率与所述壁厚的乘积表示为(σ·t)max且将所述第2屏蔽部分的所述电导率与所述壁厚的乘积表示为(σ·t)2时,所述筒状磁屏蔽件满足M2/Mmax·(σ·t)max≤(σ·t)2≤(σ·t)max

10.一种磁屏蔽件,其为直接设置于超低温制冷机的冷却台的筒状的磁屏蔽件,所述磁屏蔽件的特征在于,

所述磁屏蔽件由常导体形成,且其在10K以下的温度区域中的电导率与所述筒状的磁屏蔽件的壁厚的乘积为89MS以上且1980MS以下。

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