[发明专利]具有帽盖层的键合触点及其形成方法在审
| 申请号： | 201880001687.7 | 申请日： | 2018-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN109155301A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 潘杰;吕术亮;马亮;李远;胡思平;万先进 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/538;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 钟胜光 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 键合 触点 半导体结构 器件层 键合界面 帽盖层 键合层 衬底 半导体器件 触点接触 导电材料 制造 | ||
1.一种半导体器件，包括：
第一半导体结构，包括衬底、设置于所述衬底上的第一器件层、以及设置于所述第一器件层上方并包括第一键合触点的第一键合层；
第二半导体结构，包括第二器件层、以及设置于所述第二器件层下方并包括第二键合触点的第二键合层；以及
所述第一半导体结构和所述第二半导体结构之间的键合界面，
其中，所述第一键合触点在所述键合界面处与所述第二键合触点接触，并且
所述第一键合触点和所述第二键合触点中的至少一个包括帽盖层，所述帽盖层在所述键合界面处、具有与相应的所述第一键合触点或所述第二键合触点的其余部分不同的导电材料。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述帽盖层的导电材料包括钴，并且相应的所述第一键合触点或所述第二键合触点的所述其余部分包括铜。
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中
在所述键合界面处所述第二键合触点的宽度大于所述第一键合触点的宽度；并且
所述第二键合触点包括所述帽盖层。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述帽盖层的宽度标称地与所述第二键合触点在所述键合界面处的宽度相同。
5.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中
在所述键合界面处所述第一键合触点的宽度大于所述第二键合触点的宽度；并且
所述第一键合触点包括所述帽盖层。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述帽盖层的宽度标称地与所述第一键合触点在所述键合界面处的宽度相同。
7.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，所述第一键合触点和所述第二键合触点中的每个包括相应的所述帽盖层。
8.根据权利要求1-7的任一项所述的半导体器件，其中，所述帽盖层的厚度介于大约1nm和大约5nm之间。
9.根据权利要求1-8的任一项所述的半导体器件，其中，所述第一键合层还包括第一电介质，并且所述第二键合层还包括在所述键合界面处与所述第一电介质接触的第二电介质。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述帽盖层的导电材料对相应的所述第一键合触点或所述第二键合触点的所述其余部分的选择性比对所述第一电介质或所述第二电介质的选择性更大。
11.根据权利要求1-10的任一项所述的半导体器件，其中，所述第一器件层和所述第二器件层中的一个包括NAND存储器串，并且所述第一器件层和所述第二器件层中的另一个包括外围器件。
12.一种键合结构，包括：
包括第一键合触点和第一电介质的第一键合层；
包括第二键合触点和第二电介质的第二键合层；以及
所述第一键合层与所述第二键合层之间的键合界面，
其中，所述第一键合触点在所述键合界面处与所述第二键合触点接触，并且所述第一电介质在所述键合界面处与所述第二电介质接触，并且
所述第一键合触点和所述第二键合触点中的至少一个包括帽盖层，所述帽盖层在所述键合界面处、具有与相应的所述第一键合触点或所述第二键合触点的其余部分不同的导电材料。
13.根据权利要求12所述的键合结构，其中，所述帽盖层的导电材料包括钴，并且相应的所述第一键合触点或所述第二键合触点的所述其余部分包括铜。
14.根据权利要求12或13所述的键合结构，其中
在所述键合界面处所述第二键合触点的宽度大于所述第一键合触点的宽度；并且
所述第二键合触点包括所述帽盖层。
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