[发明专利]半导体掺杂物液体源、半导体掺杂物液体源的制造方法以及半导体装置的制造方法

说明书

混合含有：包含掺杂物的化合物；用于溶解化合物的有机溶剂；溶解于有机溶剂并将粘性付与半导体掺杂物液体源的增粘剂；以及直径比掺杂物更大的无机粉末，增粘剂所具有的特性为：在将半导体掺杂物液体源涂布在半导体基板的涂布面上时，通过粘性对沿涂布面的面方向上相邻的无机粉末之间的间隔进行调整，从而调整掺杂物在涂布面上的分布，并且在加热至第一温度后，使其沉积在相邻的无机粉末之间，从而维持掺杂物在涂布面上的分布，无机粉末所具有的特性为：调整半导体基板之间的间隔在面方向上的分布，并且在将掺杂物加热至第二温度后，在将接合的半导体基板置于剥离液中时，通过维持半导体基板之间的间隔，从而使剥离液浸透在半导体基板之间。

技术领域

本发明涉及半导体掺杂物液体源、半导体掺杂物液体源的制造方法以及半导体装置的制造方法。

背景技术

以往，在半导体装置的制造流程中有一种制造方法方法，其一边通过涂布头(Coater head)来使被放置在涂布头上的Si晶片旋转，一边通过喷嘴(Nozzle)从上方将掺杂物液体源下滴至Si晶片上。下滴在Si晶片上的液体源通过离心力最终被涂布在整个Si晶片上。并且，通过对涂布有液体源的Si晶片进行加热，就能够使掺杂物在Si晶片上热扩散。另外，为了一次性对大量的Si晶片进行处理，在使掺杂物热扩散时，会将涂布有液体源的多枚Si晶片进行叠层，并通过对叠层后的Si晶片统一进行解热，从而同时对多枚Si晶片进行热扩散。在热扩散结束后，通过将Si晶片的叠层体浸渍在氟酸中，从而从叠层体上将单枚Si晶片进行剥离。

但是，对于在确保掺杂物扩散的均匀性的同时，缩短半导体基板剥离所需要的时间从而来提升半导体装置的制造效率这一课题来说，以往并没有行之有效的技术方案被提出。

例如，在特开平11-176764号公报中，公开了一种含有掺杂物化合物以及有机粘合剂(Organic binder)的扩散用薄膜，在该技术方案中，有机粘合剂并不能够有利于掺杂物扩散的均匀性，而且，由于还必须要进行使薄膜溶融的工序，因此也无法提升制效率。所以，特开平11-176764号公报中所记载的技术方案与本发明下述所要记载的技术方案是完全不同的。

本发明的目的，是提供一种半导体掺杂物液体源、半导体掺杂物液体源的制造方法以及半导体装置的制造方法，其能够在确保掺杂物扩散的均匀性的同时，缩短半导体基板剥离所需要的时间从而来提升半导体装置的制造效率。

发明内容

本发明的一种形态涉及的半导体掺杂物液体源，通过在被涂布在叠层后的多个半导体基板之间的状态下进行加热，从而在所述多个半导体基板上使掺杂物扩散，其特征在于：

混合含有：

包含所述掺杂物的化合物；

用于溶解所述化合物的有机溶剂；

溶解于所述有机溶剂，并将粘性付与所述半导体掺杂物液体源的增粘剂；以及

直径比所述掺杂物更大的无机粉末，

其中，所述增粘剂所具有的特性为：

在将所述半导体掺杂物液体源涂布在所述半导体基板的涂布面上时，通过对所述半导体掺杂物液体源所付与的所述粘性，对沿所述涂布面的面方向上相邻的所述无机粉末之间的间隔进行调整，从而调整所述掺杂物在所述涂布面上的分布，并且

通过将所述半导体掺杂物液体源加热至使其干燥的第一温度，从而使其伴随着所述有机溶剂的蒸发沉积在所述相邻的无机粉末之间，从而维持所述掺杂物在所述涂布面上的分布，

所述无机粉末所具有的特性为：

在将所述多个半导体基板叠层时，通过所述增粘剂来调整所述面方向上相邻的无机粉末之间的间隔，从而来调整所述多个半导体基板之间的间隔在所述面方向上的分布，并且