[实用新型]发声器件

说明书

本实用新型提供了发声器件，其包括盆架以及分别固定于所述盆架的振动结构及具有磁间隙的磁路结构，振动结构包括固定于盆架的上振膜、插设于磁间隙以驱动上振膜振动发声的音圈以及固定于盆架并与上振膜相对且间隔设置的下振膜，上振膜、下振膜以及盆架共同围成上腔，下振膜的背离上振膜的一侧与盆架共同围成下腔，下振膜为多孔阻尼件，上腔与下腔通过多孔阻尼件的孔道相连通。本实用新型的发声器件解决了现有技术中发声器件中下振膜的下空间、以及下振膜与上振膜之间的空间这两个空间之间会出现压差值过大，泄露不够，导致产品Q值、SPL等不达标的问题。

【技术领域】

本实用新型涉及声学设备技术领域，尤其涉及一种发声器件。

【背景技术】

为了适应各种音响设备与信息通信设备的小型化、多功能化发展，该类设备中所使用的发声器件对应需要更加趋于小型化，以及与发声器件周边其他元件的配合更加紧凑，特别是随着智能手机轻薄化发展需求，其中所使用的发声器件，不仅要求小型化，更要求高音质化和立体声效果等。然而，现有技术中的发声器件由于适应了小型化设计要求而牺牲了相应的声腔空间，并且，下振膜的下空间、以及下振膜与上振膜之间的空间这两个空间被下振膜分割，在振动发声过程中，这两个空间之间会出现压差值过大，泄露不够，导致产品Q值、SPL等不达标。

【实用新型内容】

本实用新型的目的在于提供一种发声器件，旨在解决现有技术中发声器件中下振膜的下空间、以及下振膜与上振膜之间的空间这两个空间之间会出现压差值过大，泄露不够，导致产品Q值、SPL等不达标的问题。

本实用新型的技术方案如下：

本实施例提供的一种发声器件，其包括盆架以及分别固定于所述盆架的振动结构及具有磁间隙的磁路结构，振动结构包括固定于盆架的上振膜、插设于磁间隙以驱动上振膜振动发声的音圈以及固定于盆架并与上振膜相对且间隔设置的下振膜，上振膜、下振膜以及盆架共同围成上腔，下振膜的背离上振膜的一侧与盆架共同围成下腔，下振膜为多孔阻尼件，上腔与下腔通过多孔阻尼件的孔道相连通。

优选地，下振膜包括胶合固定于音圈的第一固定部，自第一固定部向盆架延伸的折环部以及自折环部向盆架延伸并胶合固定于盆架的第二固定部，折环部向远离上振膜的方向弯曲凸出。

优选地，多孔阻尼件上的孔道的孔径为10um～2000um。

优选地，下振膜上包括多个贯穿下振膜的激光孔。

优选地，下振膜对称设置于音圈的相对两侧。

优选地，音圈包括相对设置的长轴部以及连接长轴部的短轴部，下振膜包括两个且对称设置于短轴部。

优选地，振动结构还包括加强支撑件，加强支撑件包括固定连接于盆架的连接头段、固定连接于音圈背离上振膜一端的支撑段以及连接连接头段与支撑段的中间弹性承接段，加强支撑件与下振膜位置一一对应。

优选地，连接头段夹设固定于盆架与第二固定部之间，支撑段夹设固定于音圈与第一固定部之间，中间弹性承接段位于上振膜与下振膜之间。

优选地，发声器件还包括球顶，上振膜的中部设有振膜窗口，球顶连接于上振膜且覆盖振膜窗口。

优选地，磁路结构包括磁轭、固定于磁轭的主磁钢以及分别间隔设置于主磁钢相对两侧并与主磁钢形成磁间隙的副磁钢。

本实用新型的有益效果在于：