[实用新型]高集成功率模块和电器

权利要求书

1.一种高集成功率模块，其特征在于，包括：

基板；

设置在所述基板上的功率因数校正元件、整流桥、压缩机逆变器以及风机逆变器，其中，所述整流桥设置在所述功率因数校正元件的第一侧，所述压缩机逆变器设置在所述功率因数校正元件的第四侧，所述风机逆变器设置在所述功率因数校正元件的第三侧；

所述整流桥与所述功率因数校正元件电连接，所述功率因数校正元件与所述压缩机逆变器和所述风机逆变器电连接。

2.根据权利要求1所述的高集成功率模块，其特征在于，还包括：

强电引脚，所述强电引脚设置在所述基板的第一边缘上，所述强电引脚与所述整流桥的输入端、所述整流桥的输出端、所述功率因数校正元件的输出端、所述压缩机逆变器和所述风机逆变器电连接；

弱电引脚，所述弱电引脚设置在所述基板的第二边缘上，所述弱电引脚与所述压缩机逆变器和所述风机逆变器电连接。

3.根据权利要求2所述的高集成功率模块，其特征在于，所述压缩机逆变器包括间隔设置的第一器件单元和第一控制单元，所述第一器件单元包括第一水平段和第二水平段，所述第一水平段设置在所述功率因数校正元件的第四侧，所述第二水平段的至少一部分设置在所述功率因数校正元件的第二侧。

4.根据权利要求3所述的高集成功率模块，其特征在于，所述第一控制单元设置在所述第二水平段的第四侧，且位于所述第一水平段的至少一部分的水平一侧，

所述第一控制单元与所述弱电引脚电连接。

5.根据权利要求3所述的高集成功率模块，其特征在于，所述第一水平段和第二水平段各包括三个垂直设置的IGBT模块，每个所述IGBT模块中包括一个绝缘栅双极型晶体管和一个快恢复二极管，

其中，在所述第一水平段中的每个所述IGBT模块中，所述快恢复二极管位于所述绝缘栅双极型晶体管的第四侧，

在所述第二水平段中的每个所述IGBT模块中，所述快恢复二极管位于所述绝缘栅双极型晶体管的第三侧，

所述绝缘栅双极型晶体管的集电极和发射极与所述强电引脚电连接。

6.根据权利要求3～5中任一项所述的高集成功率模块，其特征在于，所述风机逆变器包括第二器件单元和第二控制单元，所述第二器件单元包括六个逆导型绝缘栅双极型晶体管，六个所述逆导型绝缘栅双极型晶体管中的一部分所述逆导型绝缘栅双极型晶体管沿水平方向呈直线间隔分布，以形成第三水平段，六个所述逆导型绝缘栅双极型晶体管中的另一部分所述逆导型绝缘栅双极型晶体管沿垂直方向呈直线间隔分布，以形成垂直段，所述垂直段设置在所述第三水平段的第四侧，

其中，所述第二控制单元设置在所述垂直段的至少一部分的水平一侧，

所述逆导型绝缘栅双极型晶体管的集电极和发射极与所述强电引脚电连接，所述第二控制单元与所述弱电引脚电连接。

7.根据权利要求6所述的高集成功率模块，其特征在于，所述第二控制单元设置在所述垂直段的第二侧。

8.根据权利要求6所述的高集成功率模块，其特征在于，所述第一控制单元设置在所述第二水平段的第四侧，且位于所述第一水平段的第二侧。

9.根据权利要求1所述的高集成功率模块，其特征在于，还包括连接导线、电阻元件和电容元件中的至少一种，所述连接导线、所述电阻元件和所述电容元件设置在所述基板上的空余区域。

10.一种电器，其特征在于，包括权利要求1～9中任一项所述的高集成功率模块。